gan 熔点GaN熔点为1700℃,并具有六方纤锌矿结构,因此相当坚硬,化学性质也非常稳定。GaN是二元Ⅲ-Ⅴ族的直接带隙半导体,在室温下的禁带宽度为3.4eV,超过了大多数的半导体材料,比如硅的禁带宽度仅为1.1eV,这一区别使得GaN非常适合制造光电器件。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | ...
是一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球第三代半导体材料研究的前沿和热点。GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃。其中的镓是灰蓝色或银白色的金属,符号Ga,容点29.76℃。在常温时镓在干燥空气中易氧化,稳定,跟沸水反应剧烈生成氢氧化...
氮化镓(GaN)是第三代半导体核心材料,镓(Ga)与铝位于同一主族,微量分散于铝土矿中,其熔点为29.8℃,沸点为2403℃。下列说法不正确的是( ) A. 室温下合成氮化镓的普遍方法为:2Ga+N2=2GaN B. Ga2O3具有两性,既能与酸反应,又能与碱反应 C. 从铝土矿提取Al的废液中电解提取Ga,阴极反应为:Ga(OH)+3e2=Ga...
氮化镓((GaN))是第三代半导体核心材料,镓((Ga))与铝位于同一主族,微量分散于铝土矿中,其熔点为29.8℃,沸点为2403℃。下列说法不正确的是( &n
GaN是第三代半导体材料的研究热点,在干燥的NH3气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN熔点约为1500℃,GaAs熔点为1238℃,GaN熔点高于GaAs的原因是__。 相关知识点: 物质结构与性质 晶体结构与性质 常见几种晶体类型 离子晶体的物理性质 晶体的类型与物质的硬度、熔点及导热性的关系 ...
(1)GaN的熔点为1 700 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,它们的晶体类型依次为___、___。 (2)GaN晶体的一种立方晶胞如图所示。该晶体中与Ga原子距离最近且相等的N原子个数为___。该晶体密度为ρ g·cm-3,GaN的式量为Mr,则晶胞边长为___nm。(列出计算式,NA为阿伏加德罗常数的值) 解析:(1)GaN熔点较高为1 ...
(4)因为镓的熔点是29.8°C,沸点是2403°C,在1000℃时,镓为液体,与NH3反应生成固体GaN,则反应的化学方程式为Ga+2NH32GaN+3H2,根据每生成l molGaN时放出15. 45 kJ热量,生成2molGaN时放出30.9kJ热量,热化学方程式为2Ga(l)+2NH3(g)2GaN(s)+3H2(g)△H= -30.9kJ/mol;答案为2Ga(l)+2NH3(g)2GaN...
由于AlN、GaN都是共价晶体,所以根据“共价半径”分析应该比较合理,而从一些权威资料看Al的原子半径(共价半径)大于Ga,此时从实际的半径出发解释键长进而解释键能及熔点就是GaN高于AlN,与事实不符。这种根据半径分析键长、键能及熔点的逻辑首先必须是晶体结构...
晶体GaN的熔点高于晶体GaAs(熔点1238C)熔点的原因是2)氮化镓的晶胞结构如图1所示,晶胞中Ga的配位数为每个晶胞中含有GaN的单元数有个。CGaONFea图1图2(3)氮化镓晶胞的边长分别为为anm、bnm、cnm,阿伏加德罗常数的值用N表示,则GaN晶体的密度为g.cm-3(列出计算表达式)。(4)氮元素与铁元素形成的一种化合物结构...