禁带:是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,GaN 的禁带宽度为 3.4eV,是硅的 3 倍多,所以说 GaN 拥有宽禁带特性(WBG)。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。 GaN 比传统硅材料更大的禁带宽度,使它具有非常细窄的耗尽区,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构,而载流子浓度直接决定了半导体的导电能力。
短期来看,虽然 GaN 作为衬底材料难以取得技术和成本上的快速突破而实现 商业化应用,但作为外延材料,GaN 已经可以外延生长在碳化硅、硅、蓝宝 石、金刚石的衬底上,目前比较主流的两种是 GaN-on-SiC 和 GaN-on-Si。 ①SiC 衬底:SiC 作为衬底材料的优势在于 SiC 和 GaN 的晶格失配率和 热失配率相较于 Si 衬底...
是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。 GaN半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c轴方向平移3c/8套构而形成,所属空间群为或P63mc。 GaN/氮化镓 - MG...
GaN 是一种新型材料,它的特点是硬度高、导电性好、耐高温、耐辐照和抗腐蚀性能强。 在手机充电器中,使用 GaN 材料可以有效地提高转换效率和功率密度。也就是说,通过使用 GaN 材料,手机充电器可以更快地将交流电转换成直流电,并且在输出电流时可以更加稳定和高效。
在许多方面,GaN和SiC在半导体行业中的应用复杂度都比传统硅材料更高。GaN难以广泛采用的主要问题在于其可靠性和成本。 对比硅的1.12电子伏,氮化镓的能隙高达3.4电子伏,这一特性使其在高功率及高频率设备上有着天然的适用性。然而,在生长过程中,GaN易出现缺陷和位错,这可能会影响器件的可靠性。此外,生产大面积的GaN...
,生长GaN:Mg时,增大/比, 也可以提高2.8eV发光峰强度。,对GaN:Mg层进行退火,可以显著改善PL谱中2.8eV峰的发光强度。,总结,总的来说,获得p-GaN的方法就是利用MOCVD进行高温p型掺杂剂掺杂,通过分析可知比较好的p型掺杂剂是Mg,一般采用Cp2Mg为源材料。 GaN的掺Mg过程受到Mg流量、生长温度、 /比的影响,最后...
AlGaN/GaN半导体材料呈现稳定的纤锌矿型结构，纤锌矿型结构具有六方对称性，为六方密堆积结构。六方密堆积结构沿着c轴（[0001]方向）原子密度最大，湿法腐蚀速率最低，而垂直c轴方向，原子密度最低，湿法腐蚀速度最快。AlGaN/GaN半导体材料表面为沿c轴方向，而尖峰和毛刺的外表面为垂直c轴方向，因此氨水刻蚀尖峰和...
《(Mn,Fe)掺杂的GaN材料Mn,Fe价态调控及3d电子跃迁机制研究》是依托复旦大学，由崔旭高担任项目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）制备Mn和/或Fe掺杂GaN薄膜材料，并利用Si和Mg共掺杂调节费米能级，使Mn或Fe杂质充放电,达到Mn,Fe离子价态调控。探测不同杂质价...