第三代半导体GaN基材料与蓝光激光器发光原理,能带计算 一:GaN基材料与激光器 GaN 基材料一般是指氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氮化铟(InN)以及其多元化合物(如 AIGaN、InGaN、AIInN、AlInGaN)。相较于第一代半导体 Si、Ge与第二代半导体 GaAs、InP,GaN 基材料因其具有禁带宽度大、直接带隙、强极化效应(Polarizat...
GaN基材料一般是指氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氮化铟(InN)以及其多元化合物(如AIGaN、InGaN、AIInN、AlInGaN)。相较于第一代半导体Si、Ge与第二代半导体GaAs、InP,GaN基材料因其具有禁带宽度大、直接带隙、强极化效应(Polarization)、电子饱和迁移速度大等特点,在光电、电力电子以及微波射频领域有着广泛的用途,因此...
1、氮化镓(GaN)基半导体材料及器件一、项目背景资料介绍1、第三代半导体氮化镓(GaN)晶体 当今世界,被誉为IT产业发动机的半导体产业已诞生了以氮化镓(GaN)及其合金材料为代表的第三代材料,第一代和第二代半导体分别以硅和砷化镓为代表,而第三代半导体则以氮化镓(GaN)及其合金材料为代表。国内外都对该领域投入了大量...
《GaN基LED材料中极化场调控的研究》是依托厦门大学，由朱丽虹担任项目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 GaN基白光LED和传统的照明灯具相比，具有能耗低，寿命长等突出优点。被视为节能，环保的绿色照明光源。潜在着巨大的社会和经济效益。但还存在着光提取效率低和内量子效率低的问题。内量子效率低是由于GaN基材料...
GaN材料是指GaN、InN、AlN以及由它们组成的多元合金材料(如InxGa1- xN, AlxGa1- xN) ,属直接带隙半导体材料。通过调整合金成分,可以获得1.9～6.2 eV的连续可调的带隙能,因此GaN基材料能覆盖从紫外( 200 nm)到红光( 650 nm)的频谱,从而成为短波长光电子器件及高频、高压、高温微电子器件制备的最优选材料,被...
1、材料特性 GaN 基微波器件所展现出的良好性能与其基础材料特性是密不可分的。从表1 可看出，与Si、...
GaN即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。GaN 具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。GaN 基材料在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管,蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的应用潜力和良好的市场前景。
GaN基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件作为GaN材料的一种重要应用,具有高功率密度、高频率特性和低电压运行等优势,因此在通信、雷达、无线电等领域中有广泛应用。然而,辐照效应作为半导体器件在高辐射环境下的响应问题,对于GaN基材料及其HEMT器件的性能稳定性和可靠性具有重要影响。因此,...
氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点,在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成,材料缺陷多...