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Ga-rich GaAs(001) surface from ab initio calculations: Atomic structure of the (4×6) and (6×6) reconstructions Total-energy calculations for a series of GaAs(001)(4×6) and (6×6) surfaces are presented. For the Ga-rich limit, we confirm the GaAs(001)(4×6) surface ... K.,...
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基于线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)数值计算,比较(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga_(0.5)Al_(0.5)As合金虚晶能带本征态,发现它们可以用Ⅲ价和Ⅴ价原子平面的分波态进行统一描述,用这种方法详细分析超晶格与闪锌矿结构合金在布里渊区Γ,M(X)和R(L)诸点主要能带本征态之间的对应关系,讨论了超...
RSB-55 RSB-55B RSB-55A 22100-1N001 Compatibility: NISSAN ALMERA 1.4L 16V GA14DE Features: **Premium Quality and Performance** The Ignition Module OEM RSB-55 is a high-quality replacement part designed to restore the ignition system's efficiency in your NISSAN ALMERA 1.4L 16V GA14DE engine...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SHF-001GA-08BS、 JST/日压、 NA 商品图片 商品参数 品牌: JST/日压 封装: NA 批号: 22+ 数量: 2631321 数量: 2631321 产地: 原装 参数名: 正品 说明: 只做原装 产品应用: 电子设备 价格说明 价格:...
采用室温沉积高温退火的方式在单晶MgO(001)基片上制备了 具有马氏体相变的铁磁Ni-Mn-Ga薄膜.沉积态薄膜呈柱状晶结构,高温退火后柱状晶的晶界变得模糊.溅射气压为0.5 Pa和0.2 Pa的薄膜的马氏体相变起始温度分别为290 K和332K,溅射气压改变了薄膜成分,进而改变了相变温度.根据300K测得的磁化曲线,退火后溅射气...