镓与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示。下列判断不合理的是 A. Al、Ga均处于ⅢA族 B. 可与盐酸反应生成 C.
镓(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示:下列判断不合理的是( ) A. Al、Ga均处于ⅢA族 B. G
本发明公开了一种In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法.所述制备方法包括如下步骤:(1)将GaO和InO的混合物进行烧结得到前驱体粉末;GaO和InO的摩尔份数比为GaInO中Ga和In的摩尔份数比,其中0.05≤x≤0.95;(2)将所述前驱体粉末进行放电等离子烧结并经退火后即得所述In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料.本发明提供...
镓(Ga)位于元素周期表第ⅢA族,镓广泛用于半导体、光电材料领域。(1)利用炼锌渣(主要含Pb、Zn、Cu、Fe的氧化物和一定量)为原料制备高纯镓的主要流程为:酸浸处理出渣→铜粉处-e卷通组卷网
综合处理炼锌矿渣[主要含铁酸镓Ga2(Fe2O4)3、铁酸锌ZnFe2O4],实现变废为宝得到多种产品,进一步利用镓盐可制备具有优异光电性能的氮化镓GaN(Ga与Al同主族),部分工艺流程如图:已知:①常温下,浸出液中各离子形成氢氧化物沉淀的pH和金属离子在工艺条件下的萃取率(进入有机层中金属离子的百分数)见表: ...
氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为“第三代半导体材料”。镓(31Ga)的氧化物和氢氧化物均为两性化合物,工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是 A
镓(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示。下列判断不合理的是() A. Al、Ga的价层电子数相同 B. 向Ga
本发明公开了一种复合改性锂离子电池用的正极材料锰酸锂制备方法:以二氧化锰和碳酸锂为原料制备锰酸锂,首先对二氧化锰进行预处理,硝酸处理后二氧化锰中有害杂质钠,钾,钙,硫酸根等含量明显降低;然后将预处理后的二氧化锰和碳酸锂及多元掺杂的金属M化合物,以... 李道聪,徐家闯 被引量: 0发表: 2014年 多元锂离子电...
镓(Ga)与铝属于同主族元素,金属镓曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备金属镓的流程如下图所示:下列判断不合理的是A.镓为+3价B.碱性:Ga(OH)3&g-e卷通组卷网
综合利用炼锌矿渣(主要含铁酸镓Ga2(Fe2O4)3、铁酸锌ZnFe2O4)获得3种金属盐,并进一步利用镓盐制备具有优异光电性能的氮化镓(GaN),部分工艺流程如下:已知:①常温下,浸出液中各离子的浓度及其开始形成氢氧化物沉淀的pH见表1。 ②金属离子在工艺条件下的萃取率(进入有机层中金属离子的百分数)见表2。