镓与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示。下列判断不合理的是 A. Al、Ga均处于ⅢA族 B. 可与盐酸反应生成 C.
镓(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示:下列判断不合理的是( ) A. Al、Ga均处于ⅢA族 B. G
氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为“第三代半导体材料”。镓(31Ga)的氧化物和氢氧化物均为两性化合物,工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是 A
本发明公开了一种In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法.所述制备方法包括如下步骤:(1)将GaO和InO的混合物进行烧结得到前驱体粉末;GaO和InO的摩尔份数比为GaInO中Ga和In的摩尔份数比,其中0.05≤x≤0.95;(2)将所述前驱体粉末进行放电等离子烧结并经退火后即得所述In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料.本发明提供...
镓(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示。下列判断不合理的是() A. Al、Ga的价层电子数相同 B. 向Ga
镓(Ga)的氧化物和氢氧化物均为两性化合物,工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。 下列判断不正确的是()NH3铝土矿NaOH NaGaO2Ga GaN溶液NaAlO2适量CO Al_2O_3 NaGaO2Ga_2O_3 过滤Al(OH)3 A.Ga位于第四周期第ⅢA族 B.酸性: Al(OH)_3Ga(OH) C. Ga(OH)_3 可与 NaOH 反应生成 NaGaO, D.Ga与NH反应...
【题文】(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物、氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如图所示。下列判断不合理的是A.Al、Ga均处于ⅢA族B.酸性:Al(OH
镓(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物.工业制备镓的流程如下图所示:下列判断不合理的是( ) A. Al、Ga均处于IIIA族 B.
15.(10分)镓(Ga)与铝同主族,曾被称为“类铝”,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物,砷化镓(Gab是一种重要的半导体材料。工业制备镓的流程如图所示,回答下列问题NaGaO_2 Ga铝土矿NaOH溶液NaAlO_2适量CO2(AI203、Ga203NaGaO2过滤A(OH)(1)镓在周期表中的位置氢化物的稳定性NH2AsHs(填“”或“”)(3)写...
( Ga _2 O _3)与氢氧化钠溶液反应分别转化为( NaAlO _2)和( NaGaO _2),通入二氧化碳气体,调节( pH),可将( NaAlO _2)转化为( Al(OH) _3)沉淀而将其除去,将( NaGaO _2)转化为( Ga(OH) _3)沉淀,( Ga(OH) _3)受热分解可得到纯净的( Ga _2 O _3),冶炼得到( Ga),与氨气在加热条件下...