PFC开关管采用镓未来G1N65R150PB-H，是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻150mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。镓未来 G1N65R150PB-H 采用PQFN8x8封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，有助于优化EMI性能。镓未来 G1N65R150PB-...
PFC开关管采用镓未来G1N65R150PB-H,是一颗耐压650V的氮化镓功率器件,瞬态耐压800V,标称导阻150mΩ,栅极耐压支持±20V,可使用传统硅MOS驱动,相比增强型氮化镓,大大简化栅极驱动电路设计。 镓未来 G1N65R150PB-H 采用PQFN8x8封装,散热焊盘为源极,减小高频走线面积,有助于优化EMI性能。 镓未来 G1N65R150PB-H ...
LG氮化镓快充拆解:采用PFC+AHB电源架构,体积小巧 #电子产品 #数码科技 #抖音知识年终大赏 充电器采用了杰华特JW1572+JW1556+JW7726BL全套方案,并搭配了镓未来G1N65R150PB-N、G2N70R240PB- - 充电头网于20241228发布在抖音,已经收获了24.0万个喜欢,来抖音,记录美好生活
PFC开关管采用镓未来G1N65R150PB-H,是一颗耐压650V的氮化镓功率器件,瞬态耐压800V,标称导阻150mΩ,栅极耐压支持±20V,可使用传统硅MOS驱动,相比增强型氮化镓,大大简化栅极驱动电路设计。 镓未来 G1N65R150PB-H 采用PQFN8x8封装,散热焊盘为源极,减小高频走线面积,有助于优化EMI性能。 镓未来 G1N65R150PB-H ...
PFC开关管采用镓未来G1N65R150PB-H,是一颗耐压650V的氮化镓功率器件,瞬态耐压800V,标称导阻150mΩ,栅极耐压支持±20V,可使用传统硅MOS驱动,相比增强型氮化镓,大大简化栅极驱动电路设计。 镓未来 G1N65R150PB-H 采用PQFN8x8封装,散热焊盘为源极,减小高频走线面积,有助于优化EMI性能。