我们来看一下15n10-g的静态电气参数。其中,最重要的参数之一是漏极-源极饱和电压(VDS)。这个参数表示在给定的栅极电压下,当漏极电压达到一定值时,场效应管会进入饱和状态。此外,我们还可以了解到15n10-g的栅极-源极饱和电压(VGS),它表示在给定的漏极电压下,当栅极电压达到一定值时,场效应管会进入饱和状态。这...
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型号 ME15N10 电子元器件专业配套 配套范围内; 集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 另外电容电阻(支持拆样)开关插座 端子排针 蜂鸣器 LED 数码管 电位器等全系列元件! 为了更好的解决您的问题,请您务必在下单前,将产品的封装,后缀告诉我们, 以便我们能准确迅速的为您查询,由于采购...
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G15N10C 100V 15A npn mosfet power transistors in stock Part Number G15N10C VDSS 100V ID 15A RDS 70mΩ @ vgs=10V Vth 2V Package TO-252 Ciss 612 pF Crss 91 pF Datasheet You may like For more products details, please contact us !https://gofordsemi.en.made-...
ME15N10-G是一款采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。这款元件的高密度工艺设计使其具有极低的导通电阻,特别适合在低电压应用中使用,如蜂窝电话、笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路。此外,ME15N10-G的出色导通电阻...
The G15N10C uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.General Features VDS 100V ID (at VGS = -10V) 15A RDS(ON) (at VGS = -10V) TYP=70mΩ 100% Avala...
部件名15N10G-TN3-T 下载15N10G-TN3-T下载 文件大小182.52 Kbytes 页5 Pages 制造商UTC [Unisonic Technologies] 网页http://www.utc-ic.com 标志 功能描述14.7A,100V(D-S)N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The UTC 15N10is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to prov...
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