Pt纳米团簇显著提高了g-C3N4的光电性能,与未经修饰的相比。催化剂的光电流密度得到了显著的提升。P−N键合作用作为电子通路,促进光生电子迁移,Pt纳米团簇作为助催化剂,显著促进了光生电荷分离,延长光生电子的寿命。同时,Pt纳米团簇增强...
研究方法:成功合成了g-C3N4/NaNbO3纳米线复合光催化剂,并将金属Pt 负载到了复合光催化剂表面。 结果表述:利用DFT和Mulliken电负性计算方法得到NaNbO3、g-C3N4的导带底和价带顶电位分别是-0. 77、2. 63和-1. 13 和1. 57 eV。g-C3N4在复合光催化剂中充当感光...
基于此,兰州大学彭尚龙和马飞等成功将Pt SAC锚定在g-C3N4纳米片上(Pt/CN)以用于高效合成H2O2,其中Pt在催化剂中的负载量低至0.21 wt‰(Pt0.21/CN)。 其具有超低Pt负载的Pt/CN显示出高活性和选择性,以及优异的电化学稳定性。具体而言,Pt0.21/CN催化剂具有高起始电位(约0.81 VRHE,−0.1 mA cm−2)和优越...
将实施例1中制备的pt/g-c3n4复合物,通过扫描透射电子显微镜(stem)分析pt/g-c3n4复合物的形貌特征,具体见图1。 从左图可以看出在g-c3n4的表面分散着细小的pt纳米粒子,说明了pt成功地附着在了g-c3n4上。此外,右图上不同颜色的代表了不同的元素,其显示纳米复合物仅仅只含有c,n和pt三种元素,由此证明可以得出pt和...
研究方法:成功合成了g-C3N4/NaNbO3纳米线复合光催化剂,并将金属Pt 负载到了复合光催化剂表面。 结果表述:利用DFT和Mulliken电负性计算方法得到NaNbO3、g-C3N4的导带底和价带顶电位分别是-0. 77、2. 63和-1. 13 和1. 57 eV。g-C3N4在复合光催化剂中充当感光剂,在光照条件下,吸收光子能量并激发电子空穴对。
而以Pt作为电子助催化剂, 可以有效地捕获P掺杂的g-C3N4导带中的光生电子, 进而发生水还原产氢反应; 以Co(II)作为空穴助催化剂, 可以捕获价带中的光生空穴, 进而发生三乙醇胺氧化反应. 通过采用不同功能的助催化剂, 实现P掺杂g-C3N4光生电子空穴的定向分流, 促进了P掺杂g-C3N4的光生载流子的分离, 从而提高...
DFT计算表明,单独Pt原子与外侧边缘的g-C3N4和氰胺缺陷的g-C3N4的结合能基本一致。这表明在氰胺缺陷的g-C3N4中链间的距离增大,从而促进了的层内氢键的断开;与实验结果相一致。通过光沉积实验所示,Pt颗粒均匀的分散氰胺缺陷的g-C3N4上,而在原始的g-C3N4是聚集的。因此理论和实验共同的证明了随着两种类型的氰胺缺陷的...
通过负载助催化剂,如Pt、Pd等贵金属,可以有效地提高g-C3N4的光催化产氢活性。这是因为贵金属助催化剂可以降低光催化反应的活化能,使得反应更容易进行。 2. 氮还原反应 在氮还原反应中,g-C3N4也可以作为催化剂。通过负载助催化剂,如单原...
将全部膜样品裁剪成3 cm×3.5 cm的尺寸并组装成膜电极：膜样品放置在两片气体扩散电极(GDE)之间，电极两侧Pt担量都为0.3 mg/cm2，再将其置于两片聚酯框之间，于140 ℃先预热30 s，再于0.05 MPa热压2 min，得到膜电极(MEA)，其有效面积为5 cm2。最后将MEA与石墨流场、密封垫和金属端板用螺栓固定组装...
分别采用 H + 型 Nafion 膜和 H + /NH 4 + 型 Nafion 膜作电解质,研究了Pt/g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 的催化性能以及 Nafion 膜中 NH 4 + 的作用。结果表明,Pt/g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 分别作阴极催化剂时均成功合成出 NH 3 ,而 Pt/g-C 3 N 4 的性能优于 g-C 3 N 4 ...