本文采用晶格参数为4.309 Å的四方形Cu2O和六边形g-C3N4 (a = b = 7.124 Å， c = 6.517 Å)，建立了Cu2O/g-C3N4异质结构模型，Cu2O的(1 1 1)面和g-C3N4的(0 0 1)面通过两种材料之间的界面相互作用而结合。模型通过使用ab-initio分子动力学(AIMD)模拟在298 K下进行大约10 ps的表面重建，发现...
图5是纯相ZnO,g-C3N4以及ZnO/g-C3N4复合物样品的漫反射光谱图.从图中可以看出,纯相ZnO的吸收限约为400 nm,对可见光几乎不响应.而g-C3N4吸收限接近470 nm,在可见光区域有强烈的吸收.与纯ZnO和g-C3N4相比,将两者复合制成的ZnO/g-C3N4复合物的吸收限介于ZnO和g-C3N4之间,显示出复合物的光吸收特点,其最大...
[周期性建模]-1 g-C3N4纯手工建模 二维材料层状结构 石墨相氮化碳3s-三嗪环 | Materials Studio建模 | MS杨站长 华算科技 01:40 [周期性建模]-2 格子变形,菱形格子变矩形90度,怎样用晶格基矢重定义来改变周期性格子的形状? 04:45 [周期性建模]-3 魔角石墨烯结构的构建方法 01:16 [周期性建模]-4...
g-C3N4 第42卷第3期(总第189期)2023年6月湿法冶金H y d r o m e t a l l u r g y o fC h i n a V o l .42N o .3(S u m.189)J u n e 2023g -C 3N 4/介孔T i O 2的制备及可见光下光催化还原C r (Ⅵ)试验研究汪益林,高 博,张留科,徐 浩,邢玉鲁,史焕鑫,赵宝秀 (...
似乎很难在g-C3N4的表面产生规则的结构,因此结晶性差。因此,在加热过程中最有可能形成两种缺陷。一个是碳(C)空位,NH和NH2在高温下由氨分解产生的自由基与结构中的N-(C)3和C-N=C晶格点蚀,导致碳气化反应,从而产生C空位。g-C3N4内...
表113-Si3N4及p—C3N4的晶格常数、体模量和内聚能的计算值与实验值 Tablel lattice modulusandcohesiveof and parameter、bulk energy13一Si3N413-C3N4 1993年,Jennifcr 良性质。他们之所以这样预测是因为他们绘出了D.C3N4的平面波局域密度近似能带 结构,在绘制过程中采用平面波局域密度近似理论;计算中采用准粒子...
要点1.使用这种界面耦合控制的混合系统,阐明了空位含量、性能和界面耦合之间的强烈相互依赖性,为高性能催化剂的设计提供了重要的见解。与缺陷未优化且无序组装的g-C3N4-TiO2同系物相比,缺陷优化的g-C3N4-TiO2超晶格对可见光诱导的N2固定(～1.06mmolg...
g-C3N4是一种聚合物半导体,其结构中的CN原子以sp2杂化形成高度离域的π共轭体系。其中Npz轨道组成g-C3N4的较高占据分子轨道(HOMO),Cpz轨道组成较低未占据分子轨道(LUMO),禁带宽度~2.7 eV,可以吸收太阳光谱中波长小于475的蓝紫光。 g-C3N4具有非常合适的半导体带边位置,满足光解水产氢产氧的热力学要求。 此外与...
非金属掺杂主要包括O、N、P、S、B、F等,一般认为3-s-三嗪结构单元中的C、N、H元素被这些非金属元素取代,从而形成了g-C3N4的晶格缺陷,从而达到光生电子-空穴对高效分离的效果,最终导致光催化性能的提高。 以图6为例,属于非金属中掺杂中的O掺杂。实验过程中首先使用了温和的H2O2对三聚氰胺进行预热处理,通过产生...