DFT计算表明,单独Pt原子与外侧边缘的g-C3N4和氰胺缺陷的g-C3N4的结合能基本一致。这表明在氰胺缺陷的g-C3N4中链间的距离增大,从而促进了的层内氢键的断开;与实验结果相一致。通过光沉积实验所示,Pt颗粒均匀的分散氰胺缺陷的g-C3N4上,...
采用镁热还原脱氮工艺制备合成贫氮g-C3N4材料。首先,采用热缩聚尿素的方法制备初始g-C3N4,即将一定量的尿素置于带盖的刚玉坩埚中以2.5℃/min的升温速率升温至550℃保温6 h得到g-C3N4黄色粉末。随后,将得到的g-C3N4和金属镁粉以质量比2:1均匀...
目前,g-C3N4量子点的制备主要是通过液相剥离大块g-C3N4,如热剥离法,机械剥离法。虽然液相剥离法能够成功地制备出超薄g-C3N4纳米片以及g-C3N4量子点,但是这种方法的产量低、尺寸大、操作繁琐,极大地限制了g-C3N4量子点的应用。现在,我们通过溶剂热一步法成功合成g-C3N4量子点,操作简单,产量高,为未来g-C3N4材料的...
G-C3N4纳米片是一种由具有高结晶度的有机聚合物构成的纳米结构材料。其合成通常采用两步法:首先是利用一种类似于模板法的策略来制备高度有序的二聚体,然后通过高温热解的方法将其转化为纳米片。 具体地说,制备高度有序的二聚体的方法是将三聚氰胺和某些含有官能团(如羧酸)的化合物混合在一起,并在二氧化硅表面进行...
申请号为201510714630x的中国发明专利申请公开一种碳基材料g-c3n4。该专利申请是采用原位生长法合成ag量子点修饰的g-c3n4复合材料,其具体制备方法包括以下步骤:称取尿素溶解于蒸馏水中并超声得到溶液a;将定量agno3加入到溶液a中,并在空气中搅拌获得溶液b;将获得的溶液b水浴加热并不断搅拌至快蒸干,然后烘干获得样品c;...
聚合物半导体石墨相氮化碳(g-C3N4),因其独特的晶体结构和能带结构、优异的化学稳定性、非金属组成等优点引起研究人员的强烈关注,被广泛用于光解水产氢产氧、光催化有机选择性合成、光催化降解有机污染物等研究领域。 【成果简介】 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院资源综合利用与环境能源新材料创新团队张以河...
传统哈伯法制氨需要高温和高压的反应条件,设计具有独特催化特性的催化剂是在温和条件下实现氨合成的重要方式。该研究基于密度泛函理论计算和微动力学模拟,选择VASP 5.4.4作为研究工具,系统地研究了负载在缺陷态g-C3N4纳米片上的Ru和Fe单原子团簇催化剂的氨合成性能,证明了在温和条件下在Ru3/Nv-g-C3N4上进行热化学氨...
从图中可以看出,g-C3N4的吸收带边约为470 nm,仅仅能被部分近可见光激发,In2S3的吸收带边在600 nm左右。两个材料复合之后,紫外吸收发生明显红移,吸收带边移动至700 nm左右,光吸收能力显著提高,有利于光催化反应的进行。结合XRD和SEM的结果,表明带有异质结构的In2S3/g-C3N4复合光催化剂被成功合成。半导体的带隙...