g-C3N4-ZnO复合物的形貌结构经FESEM和TEM进行表征,结果表明,g-C3N4-ZnO复合物主要由80～120 nm的微小颗粒组成,其中参杂少量的棒状体(长度为300～400 nm)(图2a),这与对照ZnO类似(图2b)。g-C3N4-ZnO复合物可经TEM技术进一步确认(图2c)。将图2c中的方框部分进行高分辨(HRTEM)观察,结果表明,纳米颗粒的晶格条...
纯相ZnO的吸收限约为400 nm,对可见光几乎不响应.而g-C3N4吸收限接近470 nm,在可见光区域有强烈的吸收.与纯ZnO和g-C3N4相比,将两者复合制成的ZnO/g-C3N4复合物的吸收限介于ZnO和g-C3N4之间,显示出复合物的光吸收特点,其最大光吸收边的位置相对于纯相ZnO发生明显的红移,向长波长方向移动,扩大了太阳光的利用...
b,c) GD-C3N4的HRTEM图像,层间堆垛的晶格间距约为0.332 nm,比一般纯相g-C3N4(0.326 nm左右)要大,接近于石墨层间距;c图显示三均三嗪(tri-s-triazine)和Cgra环结构共存于同一平面内; d) GD-C3N4的XRD图谱, 由于层间堆垛间距增大,(002)峰往小角偏移; e,f) GD-C3N4的元素分布,材料表面C元素均匀分布,而N...
图3的(e)、(f)展示了g-c3n4/sno2复合材料的晶面,如图3的(e)、(f)所示,晶格间间距为0.339nm和0.266nm,分别对应于四方金红石sno2的(110)和(101)晶面。 46.3.使用美国麦克的全自动快速比表面与孔隙度分析仪(asap 2460)通过氮气吸脱附对气敏材料的比表面积及孔隙率进行表征,根据氮气吸附/脱附等温线计算气敏材...
图2(f)是介孔“z-scheme”型fe2o3/g-c3n4的hrtem以及saed照片(插图),其晶格间距0.252nm对应于fe2o3的(110)晶面,且纳米点成单晶态。另外,图3(a,b)中的n2吸脱附曲线和孔径分布进一步证明了样品为介孔结构,其孔径尺寸为35nm左右。图4(a,b)表明获得的介孔“z-scheme”型fe2o3/g-c3n4复合体系显著地...
2D/2D ZnIn2S4/pCN(5:3) 的高分辨 TEM 图像(如图3B 所示)清楚地证实了 2D/2D 结构的存在,其中晶格间距为 ~0.32 nm 的区域代表了 ZnIn2S4的 (102) 晶面。图3C 的 Mapping 中表明了 ZnIn2S4/pCN(5:3) 中 C,N,Zn,...
电比容量高达1275.7m A h/g,经100圈循环后容量仍有684.2m A h/g,电化学性能良好.关键词:锗;锂离子电池;复合材料;电化学性能 中图分类号:T M912 文献标志码:A P r e p a r a t i o na n d p r o p e r t i e s o f g-C3N4c o m p o s i t eG e c a t h o d e...
g-C3N4最高占据分子轨道(HOMO,+1. 4V)和最低未占分子轨道 (LUMO,-1. 3V) 之间的带隙为2. 7eV,使其可以响应吸收太阳辐射中波长小于475 nm的蓝紫光能量。 g-C3N4的价带顶电位满足氧化水制取氧气的电位要求,而导带底电位满足还原水制取氢气的电位要求,下图为g...
HRTEM图像(图2-2E)中可以观察到,0.22nm和0.32nm的晶格条纹间距分别对 应g-CN(100)平面和BC(002)平面。HRTEM图像中未发现γ-FeO结晶相, 3423 这可能是由于γ-FeO含量较低所致。EDX结果表明,MBC/g-CN光催化剂 231034 中Fe、N、O和C元素分布均匀(图2-2F-J)。 11 第二章MBC/g-CN光催化剂的制备及光催化...