氮化碳(g-C3N4)是一种聚合半导体材料。g-C3N4具有和石墨相似的层状结构(如图1),其中一种二维平面结构如图2所示。回答下列问题:(1)基态N原子的核外电子排布式是 1s22s22p3。(2)g-C3N4中,C原子的杂化轨道类型为 sp2。(3)g-C3N4晶体中存在的微粒间作用力有 cde(填标号)。a.离子键b.金属键c.π键d....
g-C3N4是一种光催化半导体材料其结构如图1所示。光照时,光催化材料会产生电子(e-)和空穴(h ),能实现CO2和H2O的资源化转化如图2所示。下列说法不正确的是( ) A. 该光催化材料实现了太阳能转化为化学能 B. 理论上每消耗0.5molCO2,能产生标况下11.2LO2 C. H2O转化的反应为2H2O+4h+═O2↑+4H+ D. 上述两...
g-C3N4是一种典型的聚合物半导体,其结构中的CN原子以sp2杂化形成高度离域的π共轭体系。其中Npz轨道组成g-C3N4的最高占据分子轨道(HOMO),Cpz轨道组成最低未占据分子轨道(LUMO),禁带宽度~2.7 eV,可以吸收太阳光谱中波长小于475的蓝紫光 g-C3N4具有非常合适的半导体带边位置,满足光解水产氢产氧的热力学要求。 ·...
石墨型氮化碳(g-C3N4)聚合物是一种新型的半导体非金属光催化剂,以三聚氰胺,尿素,双氰胺等富氮低成本材料为前驱体就可以制备.在拥有良好的化学稳定性和热稳定性的同时,其既能吸收太阳光转化为化学能,又能彻底氧化还原环境中的污染物质,而被应用于光催化领域, 纳米级石墨相氮化碳光催化剂 海藻酸钠修饰石墨相氮化碳...
直接半导体。为具有与碳材料相似的层状堆积结构和sp2杂化的π共轭电子能带结构，石墨相的氮化碳(g-C3N4)是一种直接带隙半导体。石墨相氮化碳（g-C3N4）作为一种极具发展前景的无金属光催化剂，可用于多种用途，如能源转化、废水处理或有机合成等。
简称: g-C3N4 别称: 聚合物半导体材料 厂家: 齐岳生物 产地: 陕西 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图...
g-C3N4/TiO2异质结半导体材料以其良好的光催化性能被广泛探究。本文综述了g-C3N4/TiO2异质结半导体材料的制备方法以及其在光催化领域的应用。试验证明,g-C3N4/TiO2异质结材料在光催化降解有机污染物、水分解制氢和光电化学领域具有卓越的性能。 1.引言 在当前全球环境污染问题日益严峻的背景下,进步高效的光催化材料...
Au/g-C3N4金属/氮化碳复合材料 聚合物半导体石墨相氮化碳(g-C3N4), 钼酸铋 花瓣状γ-Bi2MoO6微米晶 花状纳米球光催化剂Bi2MoO6 钨酸铋(Bi2WO6)量子点/纳米片修饰的石墨相氮化碳(g-C3N4) Bi2WO6/g-C3N4复合材料 球形氧化亚铜Cu2O修饰Bi2WO6层状微球 ...
基于g―C3N4半导体异质结结构改性及其光催化活性研究 [摘 要]石墨相的氮化碳(g-C3N4)不含金属元素,是中等带隙的半导体材料,禁带宽度2.7 eV。g-C3N4易于通过官能团进行修饰改性,进而提高其光催化活性。因此g-C3N4被认为是理想的可见光催化半导体材料。本文主要介绍通过和合适的半导体形成异质结结构,增强光生载流子的利...
各个文献不一样的说 发自小木虫Android客户端