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MOC-AuNP/g-C3N4可作为一种高效的压电催化剂，在不使用牺牲剂的情况下，在空气和纯水中以高达120.21 μmol g-1 h-1的速率生成H2O2。VASP解读 通过DFT计算，作者研究了MOC-AuNP/g-C3N4的压催化活性。优化结构表明，MOC-AuNP成功组装后，g-C3N4的原始半导体结构得到了很好的保持。MOC组分对O2的总吸附能大于g...
氢氧化钠反应硅酸与氢氧化钠反应硅酸钠反应程式..硅酸钠俗称泡花碱种水溶性硅酸盐其水溶液俗称水玻璃种矿黏合剂其化式
【论文研读】复合材料-247-通过P掺杂g-C3N4增强PVDF基摩擦电薄膜的自感极化,用于超灵敏摩擦电压力传感器_1 07:42 【论文研读】复合材料-243-用于柔性电解质的全生物基高强度和高韧性双交联纤维素水凝胶_1 从kk到KK 113 0 【论文研读】复合材料-227-用于可穿戴显示应用的钙钛矿长丝规模化连续生产技术_1 从kk...
g-C3N4氢氧化钠反应硅酸与氢氧化钠反应硅酸钠反应程式：H2SiO3+2NaOH==Na2SiO3+2H2O硅酸钠俗称泡花碱种...
基于g―C3N4半导体异质结结构改性及其光催化活性研究 [摘 要]石墨相的氮化碳(g-C3N4)不含金属元素,是中等带隙的半导体材料,禁带宽度2.7 eV。g-C3N4易于通过官能团进行修饰改性,进而提高其光催化活性。因此g-C3N4被认为是理想的可见光催化半导体材料。本文主要介绍通过和合适的半导体形成异质结结构,增强光生载流子的利...
4 1.2.1 g-C3N4及掺杂物的形成………4 1.2.1.1 g-C3N4的形成……….4 1.2.1.2介孔g-C3N4的形成………..6 1.2.1.3 g-C3N4掺杂物的形成………10 1.2.2 g-C3N4及其掺杂物的应用………12 1.3选题的研究意义和内容………..15 参考文献………16 第二章实验材料、设备及测试方法………23 2.1实验试剂…...
【ZnO/g-C3N4光催化降解亚甲基蓝研究】本文以三聚氰胺为原料,采用水热法及高温煅烧制得管状g-C3N4,并以ZnSO4∙7H2O为前驱体用沉积沉淀法制得ZnO/g-C3N4复合材料。利用表征手段对所制备复合光催化剂的官能团、禁带宽度等进行表征。用LED光源模拟太阳光,将亚甲基蓝(MB)视为模拟污染物,采用紫外可见分光光度计,考...
用12000转离心,由于g-c3n4是水溶的,不可能完全离心下来。所以会有一部分的消耗,尽量除去水,只剩一些沉淀物,将沉淀物烘干之后,35度真空干燥,得到一些固体片。取一个10ml的管子,先在天平上称量并记下读数,然后将固体用钥匙取到10ml的管子里,二者相减,就是固体片的质量了。 展开 8 评论0 举报 该死,,销售 2018...