本论文受植物学中“叶镶嵌”结构的启发,采用低成本、商业化的一维链状高分子DF resin作为结构导向剂,通过简单的一步热缩聚方法合成了首例类藤蔓状的g-C3N4(V-CN)。V-CN独特的“叶镶嵌”结构有效地提升了材料的光吸收利用率,增加了材料的...
g-c3n4纳米片的合成 g-c3n4纳米片的制备方法主要包括高温焙烧法、硫酸法、模板法、水热合成法、电化学沉积法等多种方法。其中,高温焙烧法和硫酸法较为常见。 (1)高温焙烧法 高温焙烧法是将含有氟离子的离子液体氨基三嗪溶液借助特殊的化学结构,在高温下加热干燥,得到大量的g-c3n4纳米片。这种方法需要对反应温度、...
通过一种简单的静电自组装方法制备了Ti3C2量子点修饰缺陷反蛋白石g-C3N4(TC/CN)。所得催化剂在可见光照射下, H2O2的产率达到560.7μmol g-1h-1,是bulkCN的9.3倍。活性提升主要归因于TCQDs和g-C3N4中碳空位之间的定向诱导键合,其界面处形成的肖特基结可以进一步实现光生电子和空穴的空间分离,**地避免了缺陷位置...
G-C3N4纳米片是一种由具有高结晶度的有机聚合物构成的纳米结构材料。其合成通常采用两步法:首先是利用一种类似于模板法的策略来制备高度有序的二聚体,然后通过高温热解的方法将其转化为纳米片。 具体地说,制备高度有序的二聚体的方法是将三聚氰胺和某些含有官能团(如羧酸)的化合物混合在一起,并在二氧化硅表面进行...
3g-C3N4的合成 3.1溶剂热法 溶剂热法是指在高压釜内一种或几种有机化合物为前驱体,再选择一种主要溶剂,在一定温度和自生压力作用下发生复合反应,就可以合成g-C3N4,如谢等人先后发展了一种以乙腈为溶剂,乙腈和三聚氰胺为前驱体的溶剂热法[12]。这种前驱体溶液在180℃下保持24小时g-C3N4薄膜以斯特兰基斯-克拉斯...
例如,Zhang 等人[6]将碳氮前躯体三聚氰胺和三聚氯氰混合,使其在 500～600 °C 下发生固态反应,合成出晶态为石墨相的氮化碳衍生物,此外,各种形貌如球状、纳米线状、纳米管状、空心球状以及纤维状的氮化碳也被成功地合成出来[7]。 3.热聚合法 热聚合法是近年来制备g-C3N4较为常用的一种方法。它具有操作步骤...
G-C3N4基复合材料的合成主要采用溶胶-凝胶法。首先,以三聚氰胺或双氰胺等为原料,在高温下进行热聚合反应,制备出G-C3N4前驱体。然后,通过溶胶-凝胶过程,将G-C3N4前驱体与其他材料(如金属氧化物、金属硫化物等)进行复合,形成G-C3N4基复合材料。 三、光催化性能研究 1.实验材料与方法 本实验选用常见的有机污染物(...
图7(a)Fe3/Nv-g-C3N4上氨合成的TOF,同时考虑了解离和替代机制。TOFs和解离和缔合机制的贡献是(b)623 K恒定温度下的压力,(c)Fe3/Nv-g-C3N4上30 bar恒定压力下的温度,以及(d)623 K和30 bar下的N2分压的函数。如果没有其他规定,PN2/P(N2+H2)和NH3%分别恒定为1/4和10% ...
1.通过简单水热的方法合成了Zn0.2Cd0.8S-DETA与Pg-C3N4¬的异质结复合物。 2.有机-无机杂化材料可以在一定程度上提高光催化效率。 3. Zn0.2Cd0.8S-DETA与Pg-C3N4¬构成梯型异质结促进了光生电子空穴的分离效率。 扩展版中文...
首先,将三聚氰胺与石墨混合,在高温炉中进行热聚合反应,得到g-C3N4基复合材料。具体反应条件可根据实际需要进行调整。2.3合成过程及优化在合成过程中,可通过调整原料配比、反应温度、反应时间等参数,优化g-C3N4基复合材料的性能。此外,还可采用掺杂、负载等方法,进一步提高其光催化性能。三、光催化降解有机污染物性能...