光催化材料异质结构掺杂纳米管结构第一性g-C3N4以其特殊的电子结构及突出的热稳定性和化学稳定性,在光催化领域具有广泛的应用.然而,g-C3N4也存在比表面积较小,光生电子与空穴复合率较高以及可见光吸收范围窄等缺陷.因此,对 g-C3N4光催化材料予以调控与改性,成为当前g-C3N4光催化研究关注的重点.为了从微观上深入...
计算模拟:在多孔P 掺杂g-C3N4纳米薄片的导带下方出现了空的能隙间质,其可以容纳从价带激发上来的光生电子,大大促进了g-C3N4对于能量低于带隙值的光子的吸收,导致了乌尔巴赫带尾的出现。 计算结果:P掺杂使得g-C3N4的本征带隙由2. 98降为2. 66 eV,在光催化产氢过程中,能隙间质的存在使得P 掺杂g-C3N4纳米薄...
作者利用第一性原理计算,发现在初始放电过程中,锂与庚嗪环的结合能大于锂与硫的结合能,导致这部分锂进入庚嗪环中心,无法解吸形成Li@g-C3N4,这是容量不可逆的主要原因。然而,与g-C3N4相比,Li@g-C3N4可以通过避免其他Li原子与g-C3N4的强相互作用来促进锂原子的扩散,因为空位已经被填充。同时,LiPSs的吸附也适当减弱...
作者利用第一性原理计算,发现在初始放电过程中,锂与庚嗪环的结合能大于锂与硫的结合能,导致这部分锂进入庚嗪环中心,无法解吸形成Li@g-C3N4,这是容量不可逆的主要原因。然而,与g-C3N4相比,Li@g-C3N4可以通过避免其他Li原子与g-C3N4的强相互作用来促进锂原子的扩散,因为空位已经被填充。同时,LiPSs的吸附也...
计算结果:C24H12/g-C3N4展现出了1. 92 eV的理想带隙,可以捕获利用可见光中的大部分光子能量。在复合物界面处,形成了第Ⅱ类型的异质结,通过降低电子空穴对的复合率来增强光催化活性。复合材料界面处的电荷分配导致Gdot片层上方出现了电子耗尽区域,单层g-C3N4下方出现...
两种g-C3N4的异质结的第一性原理计算 下载积分:633 内容提示: 文章编号: 1001-9731 ( 2017 )09-09100-05两种g-C3 N 4的异质结的第一性原理计算∗赵宇培 1 ,朱玉俊 2 ,卢运祥 3( 1. 常州大学 石油化工学院,江苏省绿色催化材料与技术重点实验室,江苏 常州 213164 ;2. 蚌埠学院 材料与化学工程...
作者利用第一性原理计算,发现在初始放电过程中,锂与庚嗪环的结合能大于锂与硫的结合能,导致这部分锂进入庚嗪环中心,无法解吸形成Li@g-C3N4,这是容量不可逆的主要原因。然而,与g-C3N4相比,Li@g-C3N4可以通过避免其他Li原子与g-C3N4的强相互作用来促进锂原子的扩散,因为空位已经被填充。同时,LiPSs的吸附也适当减弱...
作者利用第一性原理计算,发现在初始放电过程中,锂与庚嗪环的结合能大于锂与硫的结合能,导致这部分锂进入庚嗪环中心,无法解吸形成Li@g-C3N4,这是容量不可逆的主要原因。然而,与g-C3N4相比,Li@g-C3N4可以通过避免其他Li原子与g-C3N4的强相互作用来促进锂原子的扩散,因为空位已经被填充。同时,LiPSs的吸附也适当减弱...
计算结果:C24H12/g-C3N4展现出了1. 92 eV的理想带隙,可以捕获利用可见光中的大部分光子能量。在复合物界面处,形成了第Ⅱ类型的异质结,通过降低电子空穴对的复合率来增强光催化活性。复合材料界面处的电荷分配导致Gdot片层上方出现了电子耗尽区域,单层g-C3N4下方出现了电子积累区域,而这可能极大地促进了水的氧化反...
对纯g-C3N4及掺杂g-C3N4的光学性质分析表明,g-C3N4的光学吸收主要在紫外光区,掺杂磷和硫后对g-C3N4的光吸收波长范围无改变,掺杂硼后的g-C3N4光吸收不再局限于紫外光区,而且延伸至可见光区和红外光区,并在红外光区有很强的吸收,表明g-C3N4掺杂硼后能大大地提高光催化效率.电子能量损失光谱和光导率谱以及介...