质分布,因此,相对于 MCZ和FZ法,生长的硅锭质量不高。当前仍是生产大直径硅锭的 主要方法。 MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的, 生长的单晶硅质量更好, 能得到均匀、低氧的 大直径硅锭。但 MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成 本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主...
MCZ磁控直拉法,在 CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切 割磁力线而产生洛仑兹力, 这相当于增强了熔体的粘性, 熔体对流受阻。 能生长 无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备复杂得多,造价也高得多, 强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 FZ 悬浮区熔法,多晶与单晶均由夹具夹着,由高频...
百度试题 题目CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
答案:CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭,但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高,存在一定杂质分布,因此,相对于MCZ和FZ法,生长的硅... 点击查看完整答案手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】从短期看,太阳能电池的发展趋势怎样? 答案:今后发展的重点仍是硅太阳能电池特别是多晶硅和非晶硅薄膜电池,提高转换效率...
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答:CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭,但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高,存在一定杂质分布,因此,相对于MCZ和FZ法,生长的硅锭质量不高。当前仍是消费大直径硅锭的主要方法。 MCZ法是在CZ技术根底上开展起来的,生长的单晶硅质量更好,能得到均匀、低氧的大直径硅锭。但MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的...
CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭,但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高,存在一定杂质分布,因此,相对于MCZ和FZ法,生长的硅锭质量不高。当前仍是生产大直径硅锭的主要方法。 MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的,生长的单晶硅质量更好,能得到均匀、低氧的大直径硅锭。但MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在...