品牌 英飞凌INFINEON 封装 标准封装 批次 21+ 数量 1124 制造商 Infineon 制造商编号 FS50R07W1E3_B11A 产品 IGBTSiliconModules 集电极—射极饱和电压 1.7V 在25C的连续集电极电流 70A 栅极—射极漏泄电流 400nA Pd-功率耗散 205W 最小工作温度 -40C 最大工作温度 +150C 商标 InfineonTechnologies 栅极/发射极...
昆山奇沃电子有限公司是一家提供德国 INF原装进口 FS50R07W1E3_B11A全新IGBT模块 诚信供应供销信息,介绍产品价格,厂家,批发信息, IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证 FS50R12W2T4BSM50GD120DN2G FS75R12W2T4B
发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 晶体管/模块 商品关键词 FS50R07W1E3、 B11A、 英飞凌INFINEON、 标准封装 商品图片 商品参数 品牌: 英飞凌INFINEON 封装: 标准封装 批次: 21+ 数量: 1124 制造商: Infineon 制造商编号: FS50R07W1E3_B11A 产品: IGBTSiliconModules 集电极—射极...
德国INF供应 FS50R07W1E3_B11A全新IGBT模块 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等价格可能...
FS50R07W1E3_B11A产品信息: EasyPACK 1B 模块,具有第三代沟槽栅/场终止 IGBT、第三代发射极控制二极管和 PressFIT 压接技术/NTC。 评估板可供选用 特征描述 阻断电压能力提高,650V 低开关损耗 低V(CEsat) 第三代沟槽栅 IGBT 低热阻 Al(2)O(3) 基板 高功率密度 集成 温度检测NTC 温度传感器 紧凑型...
英飞凌(FS50R07W1E3_B11A)特征描述: Tvj op = 150°C 符合RoHS 通过UL/CSA 的 认证 英飞凌(FS50R07W1E3_B11A)优势: 现有封装具有更高的电流能力,允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率 极高的功率密度 灵活性 出色的电气性能 高可靠性 英飞凌(FS50R07W1E3_B11A)应用领域: ...
北京健科芯坤科技有限公司主要致力于“英飞凌汽车大功率IGBT模块 FS50R07W1E3_B11A”的生产销售。多年的“英飞凌汽车大功率IGBT模块 FS50R07W1E3_B11A”生产与销售的经验,与各行业新老用户建立了稳定的合作关系,我公司经营的产品名称深受广大用户信赖。欢
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 FS50R07W1E3、 B11A、 Infineon、 AG、 EASY1B、 3 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 封装: AG-EASY1B-3 批号: 21+ 数量: 16820 制造商: Infineon 产品种类: IGBT模块 配置: IGBTSiliconModules 集电极—...
英飞凌(FS50R07W1E3_B11A)特征描述: Tvj op = 150°C 符合RoHS 通过UL/CSA 的 认证 英飞凌(FS50R07W1E3_B11A)优势: 现有封装具有更高的电流能力,允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率 极高的功率密度 灵活性 出色的电气性能 高可靠性 英飞凌(FS50R07W1E3_B11A)应用领域: ...