NPT(FS)：与PT-IGBT相比，NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低，所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽，但由于基区少子寿命很长，使得基区载流子电导调制效应更加显著，NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。FS-I
传统NPI-IGBT结构制作工艺是将n型单晶硅转化为n漂移区中作为衬底,随后使用P离子后形成了nFS层。传统NPI-IGBT集成过程中掺杂浓度比较高,从而导致反向电压降低,为解决该问题,提出了隐埋式FS-IGBT。隐埋式FS-IGBT工艺与常规的FS-IGBT相比,主要是在背面隐埋型中注入了nFS层,相比以往的工艺难度大大提高。 图1 FS-...
PT IGBT结构的优点在于:器件导通时,高的发射极效率可使大量空穴迅速地从背面注入到N-基区中,同时电子流经器件表面反型沟道注入到N-基区中,这样在基区可形成很好的电导调制,使通态压降很低。 NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT...
PT IGBT结构的优点在于:器件导通时,高的发射极效率可使大量空穴迅速地从背面注入到N-基区中,同时电子流经器件表面反型沟道注入到N-基区中,这样在基区可形成很好的电导调制,使通态压降很低。 NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-...
原理都是一样的，实现FS层的工艺不一样；FS是背面注入磷或氢实现的，SPT应该是硅片加工前扩散形成的，SPT关断比较软 应该
回复@人生的下半场: 高温机主要是用在碳化硅器件制作上的,不用氢离子,高能氢离子机主流方向是用在IGBT背面FS注入工艺的,也可以用在碳化硅衬底缺陷控制上,或者金刚石基氮化镓薄膜材料制备上。高能氢离子注入机是所有离子注入机型难度最大//@人生的下半场:回复@下蹊0502:请问高能氢离子注入机,与面向IGBT的高温氢离子...
在NPT(Non-Punch Through)和FS(Field Stop)型IGBT中,背面P+发射区相对较薄且掺杂浓度较低,因此背面发射区的注入效率比PT-IGBT要低得多。虽然NPT(FS)-IGBT的背面发射效率较低且基区较宽,但由于基区载流子的寿命较长,导致基区的电导调制效应更加显著。因此,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT型高。
FS工艺它同时具有PT-IGBT和NPT-IGBT的优点,至今一直居于主导地位;由工采网代理的台湾茂矽IGBT晶圆片均采用了FS技术。 FS生产工艺以轻掺杂N- 区熔单晶硅作为起始材料,完成正面元胞制作之后再进行背面工艺。在硅片减薄之后,首先在硅片的背面注入磷,形成N+ buffer, 最后注入硼,形成P+ collector, 激活杂质后再淀积金属...
1、首先对IGBT及具有Trench-FS结构IGBT的工艺原理进行分析讨论,然后结合工艺线特点,进行Trench-FS结构IGBT的工艺流程、器件元胞与终端结构设计,其后完成版图并进行流片。所设计的工艺流程为:先进行背面FS层的制作,然后进行正面(元胞、终端)的制作,最后背面的P+注入,金属化。 2、对所研制的1200V Trench-FS IGBT器件...
Stop IGBT，目标在于尽量减少漂移区厚度，从而降低饱和电压。场截止（Field Stop）IGBT起始材料和NPT相同，都是低掺杂的N-衬底，不同在于FS IGBT背面多注入了一个N buffer层，它的掺杂浓度略高于N-衬底，因此可以迅速降低电场强度，使整体电场呈梯形，从而使所需的N-漂移区厚度大大减小。