FR120N 是场效应管。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1...
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计...
IRFR120NTRPBF Infineon (英飞凌) MOS管 INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V查看详情 TO-252-3 12周 在产 1998年 ¥0.793 数据手册(23) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (7) 反馈错误
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 FR120N TO-252、 synmosaic/信美盛、 Cute Tape 商品图片 商品参数 品牌: synmosaic/信美盛 封装: Cute Tape 批号: 2023 数量: 4536 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 130C ...
型号 IRFR120NPBF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
IRFR120N资料 IRFR/U120N HEXFET ® Power MOSFET Description 5/11/98 Parameter Max.Units I D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 9.4I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 6.6A I DM Pulsed Drain Current 38P D @T C = 25...
IRFR120NPBF Infineon (英飞凌) MOS管 INFINEON IRFR120NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 100 V, 210 mohm, 10 V, 4 V查看详情 TO-252-3 39周 1998年 ¥0.586 数据手册(24) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (8) 反馈错误 by FindIC.com...
IRFR120N产品信息: 100 v单个N通道红外MOSFET,采用D-Pak封装 优势 面向广泛SOA的平面单元结构 优化从分销合作伙伴最广泛的可用性 产品质量符合JEDEC标准 硅优化应用开关以下<100kHz 工业标准表面安装电源包 可进行波焊 IRFR120N数据手册: IRFR120N引脚功能、电路图: ...
IRFR120NTRPBF由Infineon设计生产。IRFR120NTRPBF封装/规格:配置/单路:阈值电压/4V@250µA:漏极电流/9.4A:晶体管类型/N沟道:功率耗散/48W:额定功率/48W:充电电量/25nC:反向传输电容Crss/54pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/100V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+175℃:引脚数/3...
ATMEGA64A中文资料,ATMEGA64A-AU规格书,MEGA64技术文档,datasheet 热度: IRFR/U120NPbF PD-95067A .irf1 12/9/04 •Lead-Free http://oneic/ IRFR/U120NPbF 2.irf http://oneic/ IRFR/U120NPbF .irf3 http://oneic/ IRFR/U120NPbF