FQT1N80TF-WS 概述 功率MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,0.2 A,20 Ω,SOT-223 小信号场效应晶体管 FQT1N80TF-WS 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 Reach Compliance Code: not_compliant 风险等级: 0.72 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN ...
商品型号 FQT1N80TF-WS 商品编号 C894840 商品封装 SOT-223-4 包装方式 编带 商品毛重 0.21克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)800V 连续漏极电流(Id)200mA 导通电阻(RDS(on))15.5Ω@10V,0.1A ...
唯样商城为您提供ON Semiconductor设计生产的FQT1N80TF_WS 元器件,主要参数为:200mA(Tc) 2.1W(Tc) 20 Ohms@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 800V 0.2A N-Channel 200 mA 800 V 20 0hms ±30V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 150 pF @ 25 V,FQT1N80TF_WS库存充
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Fairchild SemiconductorFQT1N80TF 814Kb/8PN-Channel MOSFET 800V, 0.2A, 20 More results 类似说明 - FQT1N80TFWS 制造商部件名数据表功能描述 KIA Semiconductor Techn...2302 110Kb/4PP-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET Microsemi CorporationAPT6M100K ...
制造商编号FQT1N80TF-WS 制造商ON(安森美) 唯样编号J-FQT1N80TF-WS 供货Element14代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 表面贴装型 N 通道 800 V 200mA(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-3 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 FQT1N80TF-WS.pdf 参数信息常见问题 ...
批号:-- 数量:4,000 - 立即发货88,000 - 厂方库存 价格:1.986 类型:FET - 单 PDF: 联系我们 联系号码 服务电话:0755-239999320755-83222787 传真号码:0755-83238256 E-Mail:szolxd@163.com QQ在线客服: FQT1N80TF_WS 包装 带卷(TR) 可替代的包装 ...
FQT1N80TF_WS Datasheet PDF Fairchild FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT1N80TF_WS Power MOSFET, N Channel, 200mA, 800V, 15.5Ω, 10V, 5V FQT1N80TF-WS Datasheet PDF ON Semiconductor N-Channel QFET® MOSFET 800V, 0.2A, 20Ω FQT1N80TF Datasheet PDF Fairchild N-Channel QFET® MOSF...
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Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: FQT1N80TF-WS) RoHS: Compliant 搜索 FQT1N80TF_WS [更多]ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R (Alt: FQT1N80TF-WS) ...