型号 FQT1N80TF-WS 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
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其它名称 FQT1N80TF-WSTR FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 800V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA Vgs(最大值) ±30V 功率耗散(最大值) 2.1W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表...
型号 FQT1N80TF-WS(MDACX) 深圳市尚想信息技术有限公司 12年电子·元器件采购解决方案提供商 深圳市尚想信息技术有限公司是一家代理分销电子元器件的供应商。我们主要代理分销的品牌有Intel、ADI、ON等。所有分销的产品广泛应用于工业控制、通讯网络、仪器仪表等众多领域。公司与欧美、日韩及台湾等生产厂商及授权代理...
批号:-- 数量:4,000 - 立即发货88,000 - 厂方库存 价格:1.986 类型:FET - 单 PDF: 联系我们 联系号码 服务电话:0755-239999320755-83222787 传真号码:0755-83238256 E-Mail:szolxd@163.com QQ在线客服: FQT1N80TF_WS 包装 带卷(TR) 可替代的包装 ...
商品型号 FQT1N80TF-WS 商品编号 C894840 商品封装 SOT-223-4 包装方式 编带 商品毛重 0.21克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)800V 连续漏极电流(Id)200mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15.5Ω@10V,0.1A ...
FQT1N80TF-WS Mounting Type Standard Description Standard Lead time Know your supplier Bluecore Information Technology (Shenzhen) Co., Ltd. 2 yrsLocated in CN View more productsView profile Product descriptions from the supplier Warning/Disclaimer ...
FQT1N80TF-WS 数据列表 FQT1N80TF_WS; 标准包装 4,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列QFET® 规格 FET 类型 N 沟道 技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 800V 电流- 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Tc) ...
其它名称 FQT1N80TF-WSTR FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 800V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA Vgs(最大值) ±30V 功率耗散(最大值) 2.1W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表...
型号 FQT1N80TF-WS 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...