FQD50N06-VB是一款N沟道MOSFET,适用于大功率、高电流的应用场景。它的低开启电阻使得其具有优异的导通特性,能够提供高效的电流传导。因此,FQD50N06-VB广泛应用于以下领域模块: 1. 电源模块:FQD50N06-VB可以用作电源开关,控制电源的通断,以实现稳定可靠的电源输出。 2. 逆变器:FQD50N06-VB适用于逆变器模块,可以...
VBsemi(微碧半导体) 商品型号 FQD50N06-VB 商品编号 C725048 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.386克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)58A 导通电阻(RDS(on))- ...
型号FQD50N06-VB丝印VBE1615品牌VBsemi参数说明 沟道类型 N沟道 额定电压 60V 额定电流 60A 开启电阻 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V 门源极最大电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.87Vth (V) 封装类型 TO252 应用简介 FQD50N06-VB是一款N沟道MOSFET,适用于大功率、高电流的应用场景。它的低开启电阻使得其具有...
VBsemi(微碧半导体) 商品型号 FQD50N06L-VB 商品编号 C18212541 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.36克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 属性参数值 连续漏极电流(Id)- ...
FQD50N06-VB-MOSFET产品应用与参数解析Ca**u∞ 上传414KB 文件格式 pdf mosfet N沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V);TO252点赞(0) 踩踩(0) 反馈 所需:1 积分 电信网络下载 libfreetype6 2025-03-17 15:08:09 积分:1 基于单片机的智能交通灯 2025-03-17 ...
VBsemi(微碧半导体) 商品型号 FQD50N06-VB 商品编号 C725048 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.386克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)58A 导通电阻(RDS(on))- ...