FQA7N80C-F109 概述 N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 7.0A, 1.9Ω 功率场效应晶体管 FQA7N80C-F109 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: compliant 风险等级: 0.77 Is Samacsys: N 雪崩能效等级(Eas): 580 mJ 配置: SINGLE WITH ...
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A SMT扩展库 嘉立创SMT补贴 PCB免费打样 品牌名称onsemi(安森美) 商品型号 FQA7N80C-F109 商品编号 C898223 商品封装 TO-3P 包装方式 管装 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) ...
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本公司生产销售电源芯片 电源芯片,提供电源芯片专业参数,电源芯片价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.电源芯片 电源芯片 品牌芯球通科技|产地广东|价格合理|类型电源芯片|行业经验丰富|渠道直销|优势及时响应,服务贴心|发货地深圳|货期准|库存情况充足广东电源芯片
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 FQA7N80C-F109、 ON/安森美 商品图片 商品参数 品牌: ON/安森美 批号: 22+ 数量: 5000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-3PN-3 通道数量: 1 Chan...
型号:FQA7N80C_F109 商品编号:DS0082971 封装规格:TO-3P-3,SC-65-3 商品描述: 商品详情 产品分类 焊接辅料 FET类型 Enhancement 漏源电压 800V 连续漏极电流 7A 源漏开态电阻 1900@10VmOhm 极性 N 包装 TO-3PN 原厂包装 管 制造商数量 30
FQA7N80_F109 Datasheet PDF Fairchild MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P FQA7N80C-F109 Other Datasheet ON Semiconductor Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 7 A, 1.9 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE FQA7N80C_F109 Other Datasheet ...