FP25R12KT3 IGBT功率模块 可控硅模块 全新现货 深圳市君捷电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1200.00 SEMIX151GD12E4S 功率IGBT模块 晶闸管可控硅全新原装 现货直发 昆山开发区欣嘉美电子经营部2年 月均发货速度:暂无记录 江苏 昆山市 ¥140.00 FP15R12YT3 FP25R12KT3
OPNInfoFP25R12KT3BPSA1 Product Statusactive and preferred Infineon Package nameAG-ECONO2C Standard Package name Order online Buy online Completely lead freeno 无卤no RoHS compliantyes Packing Size15 Packing TypeTRAY Moisture LevelNA Moisture PackingNON DRY ...
制造商编号 FP25R12KT3 产品 IGBTSiliconModules 配置 Hex 在25C的连续集电极电流 40A 最小工作温度 -40C 最大工作温度 +125C 商标 InfineonTechnologies 栅极/发射极最大电压 20V 系列 TrenchstopIGBT3-T3 包装数量 10 重量 180g 别名 SP000100446FP25R12KT3BOSA1 可售卖地 全国 型号 FP25...
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全新原装FP25R12KT3 FP40R12KT3 FP50R12KT3 FP75R12KT3 IGBT模块 深圳市世宏泰电子科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥133.00 IGBT模块 功率模块 原装全新未拆封新批次infenon-FF450R12KT4 上海三下电子科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 ...
FP25R12KT3 Vorläufige Daten preliminary data Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values 7 ! 1 1+ 7 ! < 2d $ = $ = # # f(0# ,: ( ,9 f ( 0 # 9 %&' ( 0 )*+ $ $ %&' ( )*+ ,::; 2c 2c:; 2d # ,9 %&' ( )...
FP25R12KT3BOSA1 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 耗散功率 155 W 击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 输入电容(Cies) 1.8nF @25V 额定功率(Max) 155 W 工作温度(Max) 125 ℃ 工作温度(Min) -40 ℃ 耗散功率(Max) 155000 mW
FP15R12KT3 FP25R12KT3 FP40R12KT3变频IGBT电源-誉优电子科技 FP25R12KT3 4000 英飞凌 标准 23+ ￥400.0000元1~9 PCS ￥380.0000元10~99 PCS ￥340.0000元100~-- PCS 江苏誉优电子科技有限公司 5年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 英飞凌IGBT模块FP25R12KT3 25A1200V 标准封装硅材质 FP25R12KT3 ...
FP25R12KT3 英飞凌 IGBT模块 可控硅模块 二极管 电子元器件 价格 ￥90.00 ￥85.00 起订量 1个起批 5个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 上海 上海 型号 FP25R12KT3 0.00元 所属类目 电子元器件;晶体管;双向可控硅/模块 产品标签 FP25R12KT3;LGBT;英飞凌 获取底价 查看电话 在线咨询 上海正...
发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 工控电气 、 熔断器 商品关键词 igbt、 fp25r12kt3、 fp25r12kt4、 fp25r12ke3 商品图片 商品参数 品牌: 铭静 封装: FP25R12KT3,FP25R12KT4,FP25R12KE3 批号: 19+ 配置类型: 1 峰值反向电压: 1 最大浪涌电流: 1 正向电压(Vf): 1 正向电流(If):...