Fowler-Nordheim隧穿原理是描述电子隧穿的一种模型。该模型由英国物理学家 Ralph H. Fowler 和美国物理学家 Leo Nordheim 于1928年和1929年分别提出。 隧穿是指电子通过势垒时,在能量低于势垒高度的情况下穿越势垒现象。在Fowler-Nordheim隧穿原理中,电子通过靠近表面的高电场加速,并在势垒区域减缓,从而产生隧穿。
充电 有两种方式用于在浮栅中添加或捕获电子:Fowler-Nordheim 隧道效应和通道热电子注入(CHE)。 1、Fowler-Nordheim 隧道效应 隧穿需要带负电的源和带正电的控制栅极之间存在强电场,以将电子吸引到浮动栅极中。电子从源极通过薄氧化层移动到浮栅,在那里它们被困在氧化绝缘层之间。 2、通道热电子注入 (CHE) 通道...
fowler—nordheim隧穿原理 Fowler-Nordheim (FN) tunneling is a quantum mechanical phenomenon that allows electrons to tunnel through a potential barrier. It is named after Ralph H. Fowler and Lothar Wolfgang Nordheim, who developed the theoretical framework to describe the phenomenon. In classical ...
Fowler-Nordheim隧穿效应 1. Under the assumption that the charge loss mechanism is Fowler-Nordheim tunneling through the thin oxide,the data retention time of EEPROM cells is derived,and the experience formula is check. 在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加...