Fowler-Nordheim隧穿原理是描述电子隧穿的一种模型。该模型由英国物理学家 Ralph H. Fowler 和美国物理学家 Leo Nordheim 于1928年和1929年分别提出。 隧穿是指电子通过势垒时,在能量低于势垒高度的情况下穿越势垒现象。在Fowler-Nordheim隧穿原理中,电子通过靠近表面的高电场加速,并在势垒区域减缓,从而产生隧穿。
充电 有两种方式用于在浮栅中添加或捕获电子:Fowler-Nordheim 隧道效应和通道热电子注入(CHE)。 1、Fowler-Nordheim 隧道效应 隧穿需要带负电的源和带正电的控制栅极之间存在强电场,以将电子吸引到浮动栅极中。电子从源极通过薄氧化层移动到浮栅,在那里它们被困在氧化绝缘层之间。 2、通道热电子注入 (CHE) 通道...
热度: 三氯氢硅氢还原制备高纯多晶硅高纯多晶硅生产工艺简介20世纪50 热度: 多晶硅-氧化硅-多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究,多晶硅-氧化硅-多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究,
发现当温度低于200K时,漏电流几乎不随温度变化,因此推断出FN(Fowler-Nordheim)隧穿机制是低温下漏电的主导机制。对反向漏电机制用FP(Frenkel-Poole)发射和FN隧穿... 雷蕾 - 《西安电子科技大学》 被引量: 0发表: 2015年 硅纳米晶存储器可靠性研究 纳米晶存储器因其分立存储的特性解决了传统浮栅存储器在垂直堆栈...
结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。 2) Field aided tunnel 场助隧穿 3) thermally assisted tunneling 热助隧穿 4) band trap band current ...
请问蒲尔-弗朗克效应Poole-Frenkel，福勒-诺德海姆隧穿Fowler-Nordheim哪本书上有详细的介绍？有木有知道...
fowler—nordheim隧穿原理 Fowler-Nordheim (FN) tunneling is a quantum mechanical phenomenon that allows electrons to tunnel through a potential barrier. It is named after Ralph H. Fowler and Lothar Wolfgang Nordheim, who developed the theoretical framework to describe the phenomenon. In classical ...
Fowler-Nordheim隧穿效应 1. Under the assumption that the charge loss mechanism is Fowler-Nordheim tunneling through the thin oxide,the data retention time of EEPROM cells is derived,and the experience formula is check. 在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加...