write_addr = write_start_addr; for(data_write_num = 0; data_write_num<data_lengh_word;data_write_num++) { fmc_word_program(write_addr, pbuff[data_write_num]); /* 清除错误标志 */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_PGSERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RPERR)...
fmc_word_program(write_addr, pbuff[data_write_num]); /* 清除错误标志 */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_PGSERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RSERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_ECCCOR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_ECCDET); fmc...
void fmc_program(void) { fmc_unlock(); //FMC 解锁 address = FMC_WRITE_START_ADDR; while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){ fmc_word_program(address, data0); //word 编程 address += 4; fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END | FMC_FLAG_BANK0_WPERR | FMC_FLAG_BANK0_PGERR );//清除标...
有关Flash编程实现函数如下表所示。•注意：fmc_word_reprogram可以在不用擦除的情况下直接进行位编程，...
--write_update_flag是入口函数 void write_update_flag(uint32_t flag) { if(FMC_flash_write_word...
i++）{uhSdramArray［i］ = i; //对整个数组进行赋值}for（i = 0; i 《 SDRAM_HALF_WORD_SIZ...
HAL_SDRAM_SendCommand(…):这个函数用于向外部 SDRAM 发送命令,例如激活命令、自动刷新命令、预充电命令等。通过这个函数,可以实现对外部 SDRAM 的控制操作。 HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(…):这个函数用于设置外部 SDRAM 的刷新频率,即自动刷新的频率。通过这个函数,可以调整外部 SDRAM 的刷新频率,以满足系统的要求...
fmc_word_program(write_addr, pbuff[data_write_num]); /* 清除错误标志 */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_PGSERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_RSERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_ECCCOR); ...
有关Flash的相关操作均在gd32f30x_fmc.c中实现,下面介绍下擦除实现的函数,如下表所示。 5.2.3 Flash写入编程操作原理 GD32F303系列MCU可支持32位整字编程/16位板字以及位编程,如下图所示,Flash 32位整字编程时间典型值为47.5us。 有关Flash编程实现函数如下表所示。 注意:fmc_word_reprogram可以在不用擦除...