图26‑2虚线框外引出的是SDRAM芯片的控制引脚,其说明见表 26‑1。 表26‑1 SDRAM控制引脚说明 信号线 类型 说明 CLK I 同步时钟信号,所有输入信号都在CLK为上升沿的时候被采集 CKE I 时钟使能信号,禁止时钟信号时SDRAM会启动自刷新操作 CS# I 片选信号,低电平有效 CAS# I 列地址选通,为低电平时地址...
CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE; Command.CommandTarget = FMC_COMMAND_TARGET_BANK; Command.AutoRefreshNumber = 1; Command.ModeRegisterDefinition = 0; /* send command */ HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, &Command, SDRAM_TIMEOUT); /* delay for a while at least 200us */ HAL_Delay...
hsdram.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; 10. hsdram.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0; 第1行:硬件设计上用的BANK1。 第2-3行:ISSI的SDRAM,型号IS42S32800G-6BLI,12行9列。 第4行:SDRAM的带宽是32位。 第5行:SDRAM有4个BANK。 第6行:CAS Latency可以设置Latency1,Latency...
SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE, SDRAM_BANK, 1, 0); /* 2. 延时,至少100us */ HAL_Delay(1); /* 3. SDRAM全部预充电命令 */ SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_PALL, SDRAM_BANK, 1, 0); /* 4. 自动刷新命令 */ SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE, SDRAM_BANK, ...
1.引脚初始化 BSP_SDRAM_GPIO_Init void BSP_SDRAM_GPIO_Init(void) { RCC_AHB1PeriphClockCmd(FMC_A0_GPIO_CLK, ENABLE); RCC_AHB1PeriphClockCmd(FMC_A1_GPIO_CLK,
//发送SDRAM初始化序列 static void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram) { uint32_t temp=0 //SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能 delay_us(500); //至少延时200us SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_...
49.3.3 第3步,SDRAM时序参数配置 SDRAM的时序配置主要是下面几个参数,FMC时钟是200MHz,驱动SDRAM做了2分频,也就是100MHz,一个SDRAM时钟周期就是10ns,下面参数的单位都是10ns: 2; SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7; SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4; ...
给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的,只是PC上一般以内存条的形式扩展,内存条实质是由多个内存颗粒(即SDRAM芯片)组成的通用标准模块,而STM32直接与SDRAM芯片连接。见图 262,这是一种型号为IS42-45S16400J的SDRAM芯片内部结构框图,以它为模型进行学习。
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能 delay_us(500); //至少...
SDRAM_SendCommand（FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE， 1， 1， 0）; //步骤3：使能时钟信号，SDCKE0 = ...