FM25V20A是一种采用先进铁电工艺的2M非易失性存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V20A在总线速度下执行写入操作。不会产生写入延迟。此外,...
SF25C20/FM25V20A/MB85RS2MT功能特征一览表：舜铭存储的SF25C20是一颗新型铁电存储器，芯片的配置为262,144×8 位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E11次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM，...
MB85RS2MT功能框图 赛普拉斯的FM25V20A是一种采用先进铁电工艺的2M非易失性存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V20A在总线速度下执行写入操...
MB85RS2MT功能框图 赛普拉斯的FM25V20A是一种采用先进铁电工艺的2M非易失性存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V20A在总线速度下执行写入操...
型号: FM25V20A-G 封装: SOP/DIP 批号: 2022+ 数量: 6758 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 9V 长度: 5.6mm 宽度: 9.8mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
赛普拉斯的FM25V20A是一种采用先进铁电工艺的2M非易失性存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V20A在总线速度下执行写入操作。不会产生写入延迟。
FM25V20A-DGTR 3D 模型 产品概述 FM25V20A 系列 2 Mb (256K x 8) 3.6 V 40 MHz 串行 (SPI) F-RAM - TDFN-8 FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 40MHz 8-TDFN (5x6) 柚柑网: F-RAM FM25V20A-DGTR DFN-8 ...
FM25V20A是一种采用先进铁电工艺的2M非易失性存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V20A在总线速度下执行写入操作。不会产生写入延迟。此外,...
免费查询更多fm25v20a-g储存器芯片详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
品牌名称 CYPRESS(赛普拉斯) 商品型号 FM25V20A-DGQTR 商品编号 C2064708 商品封装 DFN-8-EP(5x6) 包装方式 编带 商品毛重 0.001克(g) 商品参数 安装类型表面贴装型 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘 工作温度-40°C ~ 105°C(TA) 技术FRAM(铁电体 RAM) ...