擦除和烧写实验成功,程序整体框架和函数都是参照TI官方API例程进行编写,调用API功能前运行DINT语句禁用了全局中断,可是程序脱离仿真环境复位重新加载以后,调用Flash_Erase()函数返回错误代码#21,对应STATUS_FAIL_PRECONDITION,Flash_DepRecover()函数调用也无法解决这个问题,计划擦除扇区为FLASHE(首地址为0x3EE000)...
具体NAND FLASH的接口电路如下: LDATA0～LDATA7是I/O口,传输数据、命令或者地址 FWEn:NAND FLASH写数据信号,低有效 FREn:NAND FLASH读数据信号,低有效 FCLE:命令锁存信号 FALE:地址锁存信号 RnB:忙或准备好状态标志位 S3C6410本身集成有NAND FLASH控制器,若要使用只需进行相应的配置即可。 相关的寄存器如下: AI...
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态,开始进行页擦除操作 { FLASH->CR|= CR_PER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PER位为1 FLASH->AR = Page_Address;//用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页 FLASH->CR|= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR...
MDK5版本从头开始建项目，FLASH菜单的ERASE会无效，使有效的方法是，在OPTION对话框中，先在option->...
status = Flash_Program((Uint16 *)DestAddr, (Uint16 *)&lsrData, sizeof(lsrData), &FlashStatus); } EINT; return status; } 如果程序在RAM中运行,可以正常执行 Flash_Erase函数,返回0,但是如果在Flash中执行,程序会一直卡在 Flash_Erase函数中,不往下执行。
/* Specify the memory areas */ MEMORY { /* APP从300KB开始,且总的APP区域 700KB */ m_interrupts (RX) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00000400 m_flash_config (RX) : ORIGIN = 0x00000400, LENGTH = 0x00000010 m_text (RX) : ORIGIN = 0x00000410, LENGTH = 0x000AF000 - 0x000004...
* Qt flash_eraseall nandwrite 进度条显示擦除、烧录 * 声明: * 当我们在 Linux shell中执行nand擦除、烧入程序时,我们可以通过终端查看 * 过程,但是有时候我们可能希望能够有个界面,这样会更直观的提供当前的程序 * 的执行状态,于是个人写了这个Demo,目前暂时使用。
US5844910 1996年8月7日 1998年12月1日 International Business Machines Corporation Flash-erase-type nonvolatile semiconductor storage deviceUS5844910 * 1996年8月7日 1998年12月1日 International Business Machines Corporation Flash-erase-type nonvolatile semiconductor storage device...
keil,MDK,flash下的erase无法选中,无法擦除的解决办法 问题如图: 解决办法: options for target --> utilities
I am afraid that when the Flash configuration is set to AB_SWAP, it is not possible to go back to the FULL_MEM configuration. Hence, only an AB_SWAP HSE Firmware image can be used in this configuration. 在原帖中查看解决方案 0 项奖励 回复 所有...