必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时,必须关闭预取缓冲器。Flash 等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系,如表 39.1.1 所示: 表39.1.1 CPU 时钟(HCLK)频率对应的 FLASH 等待周期表 等待周期通过 FLASH...
为了准确读取 Flash 数据,必须根据ACLK 时钟 (rcc_aclk) 频率和Vcore电压范围在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。Flash 等待周期与ACLK时钟频率之间的对应关系,如表42.1.1.2所示: 表42.1.1.2 ACLK时钟(rcc_aclk)频率对应的FLASH等待周期表 等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY...
等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后，CPU 时钟 频率为内部 16M RC...
等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后，CPU时钟频率为内部16 M RC振荡器...
其他设置都弄好后 开始调试啦。结果发现一执行到FLASH->ACR |= (uint32_t)FLASH_ACR_LATENCY_2就...
等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[3:0]四三个位设置。系统复位后，CPU 时 钟频率为内部 16M...
这些寄存器包括Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)、Flash密钥寄存器(FLASH_KEYR)、Flash选项字节密钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)等。通过配置这些寄存器,可以实现Flash的解锁、擦除、编程等操作。 3. 编写代码以解锁Flash,并设置适当的Flash寄存器以允许擦除和编程操作 在编程之前,需要先解锁Flash。这通常涉及到对特定寄存器的...
为了准确读取 Flash 数据, 必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时,必须关闭预取缓冲器。Flash 等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系,如表所示: 供电电压,我们一般是 3.3V,所以,在我们设置 168Mhz 频率...
当 HCLK 的 时钟频率超出 Flash 存储器的工作频率时,就会造成数据读取错误,此时需要插入等待周期。 Flash 访问控制寄存器(FLASH_ACR)中的 LATENCY[1:0]位域,用于配置 Flash 读取访问的等待周期,HCLK 时钟频率与 Flash 读取访问等待周期的对应关系见 下表。
STM32F4 可以通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块。为了准确读取 Flash 数据,必须根据 CPU 时钟(HCLK)频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器(FLASH_ACR)中正确地设置等待周期数(LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时,必须关闭预取缓冲器。Flash 等待周期与 CPU 时钟频率之间的...