static int NF_WritePage(U32 block,U32 page,U8 *buffer) //写Flash { int i; U32 blockPage=(block<<5)+page; U8 *bufPt=buffer; NF_RSTECC(); // Initialize ECC NF_nFCE_L(); NF_CMD([q4]); //???\\Read Mode 1 NF_CMD(0x80); // Write 1st command,数据输入 NF_ADDR(0); ...
static int NF_WritePage(U32 block,U32 page,U8 *buffer) //写Flash { int i; U32 blockPage=(block<<5)+page; U8 *bufPt=buffer; NF_RSTECC(); // Initialize ECC NF_nFCE_L(); NF_CMD(0x0[q4] ); //Read Mode 1 NF_CMD(0x80); // Write 1st command,数据输入 NF_ADDR(0); //...
static int NF_WritePage(U32 block,U32 page,U8 *buffer) { NF_RSTECC(); // Initialize ECC 0x0); //???\\Read Mode 1 NF_CMD(0x80); // Write 1st command,数据输入 NF_ADDR(0); // Column 0 NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff); // Block & page num. NF_ADDR((blockPage>>16)&0x...
接着nand_write函数又会调用struct nand_ecc_ctrl中的write_page函数,而write_page函数又会调用struct nand_chip中write_buf函数,从而真正把数据写到NAND Flash芯片中。 MTD读取数据的入口是nand_write,然后调用nand_do_write_ops,此函数主体代码如下: static int nand_do_write_ops(struct mtd_info *mtd, loff_...
1.为什么会出现坏块由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer) #define SPI_FLASH_PAGESIZE 0x100 #define FLASH_WriteAddress 0x000000 #define FLASH_ReadAddress FLASH_WriteAddress #define FLASH_SectorToErase FLASH_WriteAddress #define M25P64_FLASH_ID 0x202017 #define countof(a) (sizeof(a) / sizeof(*(a))) ...
first_page += chunk_nb_pages; nb_pages -= chunk_nb_pages; if (HAL_FLASHEx_Erase(&x_erase_init, &page_error) != HAL_OK) { HAL_FLASH_GetError(); e_ret_status = HAL_ERROR; } /* Refresh Watchdog */ WRITE_REG(IWDG->KR, IWDG_KEY_RELOAD); ...
writeEEProm_withflush(0,(uint8_t*)s_write_buf,0x1000);//update eeprom with flash //restore interrupt restore_global_irq(CSR_reg); 小结 本文首先介绍了基于HPM6000系列芯片如何使用Flash模拟EEPROM存储参数。由于先楫SDK中已经提供了强大的驱动库,用户可以方便地通过Flash存储数据,降低成本和提高使用灵活性...
page read(0x00,0x30) page write(0x80,0x10) block erase(0x60,0xD0) Reset(0xFF) 等等命令,都是和普通的Nand Flash的命令是一样的,而额外多出一些命令,比如Read Unique ID(0xED)等命令,是之前某些Nand Flash命令所不具有的。 如此,定义了Nand Flash的操作的命令的集合以及发送对应命令所遵循的时序等内...
NAND Flash的操作特點為:抹除(Erase)的最小單位是Block,而讀取(Read)和寫入(Write)則是以Page為單位。因NAND Flash的每個bit只能由1變為0,而不能從0變為1,所以對Flash做寫入時一定要將其對應的Block先抹除掉,才能做寫入的動作,也因此同樣 一個page只能夠寫入一次。