ProgramWord函数），要写入的数据应为32位的无符号整数。对于双字大小的写入（FLASH_ProgramDoubleWord函数...
| FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);FLASH_ProgramWord(addr, data);FLASH_LockBank1();
具体现象为 兼容模式 1k擦除后,使用FLASH_ProgramHalfWord函数写0x0800ff00地址及以后地址进入硬件错误中断,使用快写正常,原因不明。即 void Flash_Test(void) 函数异 ...
Flash_EraseSector(Address); //擦除要写入的扇区(页) if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, Data) == HAL_OK) { /* Check the written value */ if (*(uint64_t*)Address != Data) { /* Error occurred while writing data */ Flash_Error_Handler(); } } else { /...
对内部FLASH写入数据不像对SDRAM操作那样直接指针操作就完成了,还要设置一系列的寄存器, 利用FLASH_ProgramWord和FLASH_ProgramHalfWord函数可按字、半字的单位单位写入数据, 见代码清单:FLASH-4。 代码清单:FLASH-4 写入数据¶ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24...
系统错误。flashprogramquadword中进入硬件中断错误多数是系统异常导致。1、首先打开电脑设置检查系统。2、其次打开flashprogramquadword进行测试连接是否异常。3、最后点击进入硬件即可不会出现错误。
打开map 文件后,查看文件最后部分的区域,可以看到一段以“Memory Map of the image”开头的记录(若找不到可用查找功能定位) 观察表中的最后一项,它的基地址是 0x0800175c,大小为 0x00000020,可知它占用的最高的地址空间为 0x0800177c,跟执行区域的最高地址 0x0000177c 一样,但它们比加载区域说明中的最高地...
old_data[1]=*(char*)data;memcpy(&old_data_int,old_data,sizeof(int));FLASH_ProgramHalfWord((uint32_t)(FLASH_INSIDE_ADDRESS_START+(long)address-1),old_data_int); --length; }for(;length>1;length-=2)FLASH_ProgramHalfWord((uint32_t)(FLASH_INSIDE_ADDRESS_START+(long)address+length-2...
所以我不能在擦除闪存后直接写入内部闪存。如果在写操作之前没有擦除操作,那么我可以。有什么想法可以解释原因吗?uint32_t pageAddress = 0x08008000;FLASH_PageErase(pageAddress); HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_HALFWORD, pageAddress, 浏览6提问于2015-02-13得票数 7 回答已采纳 ...
我可以通过读取相同的地址来验证它是否成功写入。但是,如果我重新打开MCU的电源,该地址处的内存将返回原始值。在使用HAL_FLASH_Program()写入之前,是否需要擦除内存位置?我正在使用STM32F745。我的代码非常简单: #define UUID_ADDR (0x080FFFFB)HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD...