作者开始寻找在擦除前通过某些操作把FLASH_SR_CFGBSY标志位给置0,由于该标志位是硬件置位的,软件没法置0,因此只能通过其他方式。 作者在尝试了诸多方法都没法把FLASH_SR_CFGBSY标志置0,想换个方式解决,就是找到发生该标志被置1的原因,结果发现本人的项目是因为串口1的发送执行之后,FLASH_SR_CFGBSY就被置1了。
2,检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位,确保当前未执行任何FLASH操作。 3,在FLASH_CR寄存器中,将SER位置1,并设置SNB=0(只有1个扇区,扇区0)。 4,将FLASH_CR寄存器中的START位置1,触发擦除操作。 5,等待BSY位清零。 经过以上五步,就可以擦除某个扇区。本章,我们只用到了STM32H750的扇区擦除功能。块擦除功能我们...
1.检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位,以确认当前未执行任何 Flash 操作 2.在 FLASH_CR 寄存器中,将 SER 位置 1,并从主存储块的 12 个 (STM32F405xx/07xx和 STM32F415xx/17xx) 或 24 个(STM32F42xxx 和 STM32F43xxx) 扇区中选择要擦的扇区 (SNB) 3.将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1 4...
检查FLASH_SR寄存器中的BSY位,以确认当前未执行任何Flash操作; 将FLASH_CR寄存器中的MER位置1; 将FLASH_CR寄存器中的MER和MER1位置1; 将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1; 等待BSY位清零。 在进行扇区擦除或批量擦除操作时,都必须先确认BSY位为0,以确保当前未执行任何Flash操作。 AI检测代码解析 #include "stmfla...
在编程过程中(BSY 位为’1’),任何读写闪存的操作都会使 CPU暂停,直到此次闪存编程结束。 同样,STM32 的 FLASH 在编程的时候,也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的(也就是其值必须是 0XFFFF),否则无法写入,在FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。
设置FLASH_AR指定擦除地址，设置FLASH_CR的STRT位为1开始擦除，通过SR的BSY位去查询是否擦除完毕 ...
在FLASH_CR 寄存器中,将 SER 位置 1,并从主存储块的 12 个扇区中选择要擦除的 扇区 (SNB) 将FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1,触发擦除操作 等待BSY 位清零 批量擦除 检查FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位,确保当前未执行任何 FLASH 操作 在FLASH_CR 寄存器中,将 MER 位置 1 在FLASH_CR 寄存器中,将 ST...
1.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作。 2.设置FLASH_CR寄存器的MER位为1。选择整片擦除操作。 3.设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。启动整片擦除操作。 4.等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0,表示操作完成。 5.查询FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP为1时,表示操作成功。
1、检查FLASH_SR 寄存器中的BSY 位,以确认当前未执行任何Flash 操作 2、将FLASH_CR 寄存器中的MER 位置1 3、将FLASH_CR 寄存器中的STRT 位置1 4、等待BSY 位清零 ST提供相应的库函数接口 FLASH_StatusFLASH_EraseSector(uint32_tFLASH_Sector,uint8_tVoltageRange)FLASH_StatusFLASH_EraseAllSectors(uint8_tVo...
② 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作 ③ 设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’④ 在指定的地址写入要编程的半字 ⑤ 等待 BSY 位变为’0’⑥ 读出写入的地址并验证数据 前面提到，我们在 STM32 的 FLASH 编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以我们有必要再介绍...