1.单字节读例程,单字节读可以从任意地址开始读 登录后复制uint8_tSTMFLASH_ReadByte(uint32_tfaddr){return*(volatileuint8_t*)faddr; } 2.半字(2个字节)读例程,半字读只能从偶数地址开始读,从奇数地址读的话单片机就死机了 登录后复制uint16_tSTMFLASH_ReadHalfWord(uint32_tfaddr){return*(volatileuint...
private function readFileIntoByteArray(fileName:String, data:ByteArray):void { var inFile:File = File.desktopDirectory; // source folder is desktop inFile = inFile.resolvePath(fileName); // name of file to read var inStream:FileStream = new FileStream(); inStream.open(inFile, FileMode.REA...
}while((nRead >=2) && readAddr <= (STMFLASH_END_ADDR-2)) {//pbuf8[i] = STMFLASH_ReadByte(ReadAddr);//ReadAddr++;*(u16*)pbuf8 = *(u16*)readAddr; printf("addr:%x~~~%x \r\n",readAddr,*(u16*)readAddr); readAddr+=2; pbuf8+=2; nRead-=2; }returnsize; } 参考文章: ...
voidFLASH_ProgramByte(uint32_tAddress,uint8_tData) uint8_tFLASH_ReadByte(uint32_tAddress) 这两个字节一个是写字节,一个是读字节。 那么整体主函数的编写就比较简单了,把上面的配置写入主函数,对比写入和读出, 判断是否成功,代码如下: /***(C)COPYRIGHT2014青风电子*** *文件名:main *描述 *实验...
编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2 stm32库版本:我用的是3.5.0 一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料。 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH 实例...
//SPI1 读写一个字节 //TxData:要写入的字节 //返回值:读取到的字节 u8 SPI1_ReadWriteByte(u8 ...
(mtd,NAND_CMD_READID,0x00,-1);//3.2调用nand_chip结构体的成员cmdfunc,发送读id命令,最后数据保存在mtd结构体里 *maf_id = chip->read_byte(mtd); // 获取厂家ID,dev_id=chip->read_byte(mtd);//获取设备ID/* 3.3for循环匹配nand_flash_ids[]数组,找到对应的nandflash信息*/for(i=0;nand_...
* @retval None*/staticuint8_t spi1_flash_read_byte(void) { uint8_t t_data, r_data;if(HAL_SPI_TransmitReceive(&hspi1, &t_data, &r_data,1,0xFFFFFF) !=HAL_OK) { r_data=0xff; }returnr_data; } 2、写一个字节 /**
ROM是Read Only Memory的简称,即为只读存储器。ROM内部的程序是在ROM的制造时被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能读取内部的数据,不能再作任何修改。如果发现ROM的内容写错,则该ROM芯片只能报废。由于ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合。
5.开始锁存数据,nRE使能,nand上的数据被同步到数据nand控制器上。我们的nand是8bit数据位宽,所以每隔一个read时钟周期(tRC),传输1byte数据。每传输1byte数据,地址会自动往后偏移1byte,一般我们会连续读取1page数据。 下面开始写代码: 当发完命令、地址后再进行读数据前我们知道有一段时间tRR处于busy状态,我们可以通...