以下是一个一般性的hal_flash_program函数的使用示例: c int hal_flash_program(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t length); 参数说明: address:要写入的Flash存储器的地址。它指定了要写入的起始位置。 data:指向要写入Flash的数据的指针。它应该是一个包含要写入数据的
1.Flash_Erase函数 2.Flash_Program函数 3.Flash_Verify函数 二、flash API库文件(.lib)下载 三、修改我们的工程文件 1.将头文件和库文件添加到我们的工程 2.修改Flash2833x_API_Config.h头文件 3.修改CMD文件 四、初始化flash API 1.将flash API代码从flash中复制到RAM中; 2.初始化flash时钟分频系数 3....
所以我们的操作是在DATA MEMORY里面,在该区域的指定地址进行读取内容、写入内容、擦除内容。 3、操作方法 (1)FLASH_ReadByte( ADDRESS ):读取地址ADDRESS处的1字节内容 (2)FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA ):写1字节的内容到地址ADDRESS处 (3)FLASH_EraseByte( ADDRESS ):在地址ADDRESS处删除1字节的内容 4...
（5）FLASH_ProgramHalfWord函数：此函数主要用于在指定的地址编写半个字的程序。（6）FLASH_Lock函数：...
写入FLASH */ Address = WRITE_START_ADDR; while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)) { FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data); Address = Address + 4; } /* 锁定FLASH */ FLASH_Lock(); } 二、FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码) 1、擦除函数 FLASH_...
(5) 调用FLASH_ProgramPage_Fast函数启动一次快速页编程动作,编程指定的闪存页; (6) 调用FLASH_Lock_Fast函数进行上锁; (7) 使用for循环读取编程地址进行数据校验并返回校验值。 以上两个函数执行过程可对照CH32V103应用手册第24章闪存操作流程进行程序编写,更有助于理解编程。
顾名思义分别为:FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数,其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明,32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据,写完第一次后地址+2,这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了,跟写入 16 位基...
FLASHstatus=FLASH_ProgramHalfWord(addr, flashdata1);//从指定页的addr地址开始写 //FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASH_Lock();//锁定FLASH编程擦除控制 } 基本顺序:解锁-》清除标志位(可以不要)-》擦除-》写半字-》清楚标志位(也可以不要...
HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。 70.2 内部Flash基础知识 70.2.1 内部Flash的硬件框图 认识一个外设,最好的方式就是看它的框图,方便我们快速的了解内部Flash的基本功能,然后再看手册了解细节。 通过这个框图,我们可以得到如下信息: ...
HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。 70.2 内部Flash基础知识 70.2.1 内部Flash的硬件框图 认识一个外设,最好的方式就是看它的框图,方便我们快速的了解内部Flash的基本功能,然后再看手册了解细节。 通过这个框图,我们可以得到如下信息: ...