提供上面分析,能留给我们进行Flash模拟EEPROM所使用的扇区就只有 1~3 这3个扇区符合要求。那么我们如何使用Flash中间的扇区进行实验呢? 我们可以定义一个const数组,然后使用编译器属性指定该数组在Flash的起始地址(比如我们指定起始地址就位于第1块扇区的首地址),大小是用户定义的Flash模拟EEPROM的大小。但是必须要必须要...
2、FLASH模拟EEPROM原理 2.1、EERPOM数据结构 由于FLASH在写入数据前,需要将FLASH数据先擦除为0xFF,而FLASH擦除时通常为扇区擦除,例如AT32F403A的扇区大小为2K字节,这个特性决定了不能简单的将旧数据擦除然后写新数 据,因为这样会导致存储在这个扇区内的其他数据也被擦除,并且也会导致FLASH频繁擦除而降低 其使用...
EE_Init()：初始化模拟EEPROM。这个函数可以包含一些Flash区域的检查和准备操作。EE_Write()：写入数据到...
因此,使用内部flash来仿真EEPROM是一个很好的解决方案。 但是使用内部flash是有风险的,比如你对系统进行升级,编译出来的烧写文件变大了,这样就有冲掉flash上数据的可能,模拟eeprom是个说法,说白了就是使用stm32内部flash里面一部分空间用来保存数据,不只是保存程序代码。 基础知识 flash可分为3部分。1主存储器用来存放...
https://gitee.com/synwit-co-ltd/EEPROM_Emulation 工作原理 Flash 和 EEPROM 的主要区别在于可擦单元大小,EEPROM 可以字节擦写,而 Flash 只能块(扇区)擦除。这意味着如果在一个 Flash 扇区上存储多个参数时,扇区的擦除次数是该扇区上所有存储参数修改次数的总和,因此用作参数存储器时,Flash 相比 EEPROM 更容易...
Flash模拟EEPROM时需在RAM中开辟缓存用于常态数据读写,开辟数据时应注意RAM区数据应放到ahb_sram或noncacheable区域。 通过调用rom_xpi_nor_auto_config()、rom_xpi_nor_get_property()获取flash信息。 从flash中读取数据无需单独调用API函数,直接寻址读取效率更高,文中通过memcpy()函数直接从flash中读取数据到RAM缓...
Flash模拟EEPROM时需在RAM中开辟缓存用于常态数据读写,开辟数据时应注意RAM区数据应放到ahb_sram或noncacheable区域。 ifdefined(FLASH_XIP) &&FLASH_XIP ATTR_RAMFUNC hpm_stat_tInitial_EEProm(void) #else hpm_stat_tInitial_EEProm(void) #endif {
Flash模拟EEPROM有点事出无奈的一种软件技巧, 原因就是Flash与EEPROM工艺差异过大, 在MCU内部集成EEPROM很费事. 但是EEPROM应用多年, 在工业控制,汽车电子等领域还没有其它方法进行替代, 最常见的用途是保存配置数据, 传感器的校正数据. 大多数32bit的MCU都没有内置的EEPROM, 如果不愿意增加一个外扩的EEPROM, 只有...
写数据:擦除完成,可写入FLASH,每次只能以16位方式写入; 上锁:写入完成,需设置FLASH_CR[LOCK]位1,重新上锁,防止数据被修改。 4.相关HAL库函数 HAL库相关函数 主要就是前4个函数,最后一个是被倒数的两个函数调用的。 相关结构体 5.实战编程 跨区写入流程...
flash模拟eeprom存储日志的原理 文章目的 采用flash模拟eeprom的优点 方案设计 注意事项 文章目的 做mcu开发时,涉及到数据存储时,往往都会考虑使用flash、eeprom,或者铁电存储器。从数据储存的角度上来说,安全性最高的肯定是FRAM,接着才会考虑使用EEPROM,对于一般的数据储存,flash就足够了。考虑到一般的MCU都不会携带EE...