这是因为EEPROM存储器可以在存储单元级别进行擦除和编程,而Flash存储器需要以块为单位进行操作,这通常是16个字节或更多。 速度:通常情况下,Flash存储器比EEPROM存储器读取和写入速度更快。这是因为Flash存储器可以以并行方式进行读取和写入,而EEPROM存储器只能逐个字节地读取和写入。 寿命:Flash存储器通常比EEPROM存储器...
FLASH 存储器又称闪存(快闪存储器),是一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的形式,允许在操作中被多次擦或写,EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS 、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。 不同的是,EEPROM是以字节为单位进行数据更新,而闪存则以块为单位。由于闪存可以比 EEPROM...
指定中断向量表在RAM还是在FLASH存储器中，有什么差别啊自已顶一下