基于Nanosheet的CFET可以提供额外的性能提升,并且对于缩小到3T逻辑标准单元来说是必需的。 结论 在本文中,IMEC提出了一条通往2nm及以下技术节点的最终规模化逻辑器件的演进路径。在今天的主流FinFET之后出现了Nanosheet器件,该器件提供了出色的沟道控制功能,同时又增加了有限的工艺复杂性。当配合定标助推器时,具有5T轨道...
IBM成功研发的2nm技术就是采用nanosheet技术,还有三星3 nm 采用的晶体管架构MBCFET本质上也是nanosheet FET。 从FinFET转变到nanosheet晶体管的过程,就跟当初从平面MOSFET转向FinFET时一样,需要克服许多制程整合上的难题。幸运的是,nanosheet基本上算是FinFET的自然演变,因此许多为FinFET开发和优化的制程模组可以重复使用,...
采用GAA架构,可以解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。与FinFET晶体管(下图红线)相比,Nanosheet(下图蓝线)能够实现更严格的阈值电压(Vt)控制。 来源:台积电 去年宣布研制出2nm芯片的IBM同样选择了纳米片工艺,在IBM的研究中纳米片也表现出更优秀的特性。 更高的计算性能和更低的功耗:由于GAA中...
SRAM的半个单元布局:a) FinFET,b)GAA nanosheet ,c)forksheet。由于p-n间距不受栅极扩展(gate extension:GE),栅极切割(gate cut:GE)或虚拟鳍状栅极褶皱(dummy fin gate tuck:DFGT)的限制,因此forksheet 可以提供高达30%的位单元高度微缩比例。 forksheet 可视为从平面到FinFET以及垂直堆叠nanoshee自然演进的下...
知名能源与电力媒体eenews报道称,三星工厂已经流片采用环绕栅极 (GAA) 晶体管架构的3nm芯片,通过纳米片(Nanosheet)制造出MBCFET(多桥通道场效应管),可显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。 为了能够从台积电手中抢到客户,三星半导体最近几年一直在积极宣传GAA(gate all around)。伴随着成功流片,三星3nm芯片...
采用GAA架构,可以解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。与FinFET晶体管(下图红线)相比,Nanosheet(下图蓝线)能够实现更严格的阈值电压(Vt)控制。 去年宣布研制出2nm芯片的IBM同样选择了纳米片工艺,在IBM的研究中纳米片也表现出更优秀的特性。
在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。时间节奏方面，N2将于2025年量产。另外，根据台积电最新技术...
Nanosheet 与 nanowire 这些术语几乎可以互换使用,但它们不是一回事。“纳米线是一种通过让栅极环绕圆形硅通道来完全控制沟道的想法,”Ryckaert 说。“那是你可以获得最佳静电和最佳沟道控制的地方。” 但这是一个权衡。“虽然纳米线确实改善了短沟道控制,但由于其几何尺寸小,通常为 5nm x 5nm 的数量级,它会降低...
从FinFET到Nanosheet的自然演变。 需要微缩助推器 在6T和5T的低单元高度下,向Nanosheet器件的迁移变得最佳,因为在这种情况下,fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。 但是,如果不引入结构化微缩助推器(如埋入式电源轨和环绕式接触),就无法将单元高度从6T减小到5T。
随着track高度越来越小,进一步降低单元高度将要求单元内nFET和pFET器件之间的间距更加紧密。然而,对于FinFET和nanosheet器件来说,工艺限制限制了这些n和p器件的结合。例如,在FinFET架构中,n和p之间通常需要2个虚拟鳍片间距,消耗了高达40~50%的总可用空间。