The proposed FIN-GAN framework can be implemented by two steps. Firstly, self-supervised learning is employed to decompose the original face image into the illumination component and the illumination-invariant component with Retinex constraint. Then, we employ the conditional generative adversarial ...
FinFET技术提供了超过体CMOS的许多优点,例如给定晶体管占空比的更高的驱动电流,更高的速度,更低的泄漏,更低的功耗,无随机的掺杂剂波动,因此晶体管的移动性和尺寸更好,超过28nm。 在常规MOS中,掺杂被插入通道中,减少各种SCE并确保高V th。在FinFET中,栅极结构被缠绕在通道周围并且主体是薄的,从而提供更好的SCE,...
fingan +添加翻译 Kah-世界文字典 anĉovo noun sabir sardelo noun sabir 显示算法生成的翻译 添加示例 在上下文、翻译记忆库中将“fingan"翻译成 世界文 找不到示例,请考虑添加一个示例。
在美国国防部(DoD)的倡议下,GaN已迅速发展成为最新的明星微波功率放大器用工艺。最初为开发爆炸装置(IED),用于伊拉克战争,GaN已经出现在所有新的微波和毫米波电子产品中了,包括雷达,卫星,通信和电子战(EW)系统。 使GaN如此令人印象深刻的是其高功率密度,而GaAs具有约1.5W / mm的基本功率密度,GaN具有的功率密度在...
在面对更小尺寸的挑战时，FinFET和SOI结构成为了解决栅极控制和减少漏电问题的关键。FinFET通过三维结构提供更好的通道控制，而SOI结构则通过掩埋氧化层减少了寄生电容，进一步提高了性能。然而，FinFET和SOI在成本、制造复杂性以及特定应用领域上各有优劣。随着技术的不断进步，新材料和新工艺的引入成为...
AlGaN/GaN-based fin-shaped field-effect transistors with very steep side-wall have been fabricated by utilizing electron-beam lithography and subsequent anisotropic side-wall wet etch in tetramethyl ammonium hydroxide solution. The investigate device demonstrated extremely broad transconductance (gm) ranging...
PyTorch-GAN Collection of PyTorch implementations of Generative Adversarial Network varieties presented in research papers. Model architectures will not always mirror the ones proposed in the papers, but I have chosen to focus on getting the core ideas covered instead of getting every layer configuration...
摘要:本发明提供一种GaN FinFET器件及其制备方法,在所述栅指的外围形成所述P型NiO层,使得所述P型NiO层与所述GaN沟道层在接触界面处形成耗尽区,以缩短所述栅指的有效宽度,从而通过电荷控制,使载流子远离被刻蚀的所述栅指的侧壁,避免了所述栅指的侧壁造成的载流子散射,同时在原有所述栅指的物理尺寸的基础上进...
摘要 本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件,器件包括衬底、异质结材料、Fin结构,以及栅金属,所述异质结材料设置在衬底上表面,Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin,栅金属设置在Fin结构上表面且采用T型结构。本发明在Fin-HEMT器件中加入了T型栅结构,能够有效提高沿栅电流传导方向的栅金属截面积,同时由于...
他意识到,Finwave开发的FinFET-on-GaN可以为毫米波带来双赢的结果。在RF前端模块中有了FinFET-on-GaN PA,手机可以处理更多的功率,从而向接入点发射更强的信号。运营商需要安装的接入点会少很多(实际上少20倍),因为每个接入点可以触达更远的距离,处理更多的容量。