Si(在样品上挖取后图像) Si(减薄后样品正面图像) Si(减薄后的厚度) 玻璃上有纳米涂层 FIB-SEM技术: FIB-SEM原理是基于利用聚焦离子束进行局部切割、刻蚀或沉积处理,同时利用扫描电子显微镜进行高分辨率成像,为材料微观结构的分析提供了关键支持。FIB可...
离子会更深地穿透低指数方向(这些方向的原子密度较低),因此这些方向不会产生太多信号或溅射,从而导致不均匀的铣削,如 SEM 图像所示。如左侧离子束图像所示,在多个晶粒上形成的图案通常显示出不同的深度和结构质量。 图18 通道效应对溅射效率的影响 5 FIB-SEM的结构 FIB是一种通过离子束与样品的相互作用来进行纳米...
两种不同电子束能量的SEM图像会显示不同的PVC。根据要解决的问题,可以选择FIB PVC或SEM PVC。在表4中,两种方法的优缺点相互衬度。 表4 FIB和SEM中 PVC的优缺点 SEM中PVC的一个重要应用是在线电子束检测技术。在线SEM中,样品台上的减速场提供了VC定位所需的电子束的低着陆能量。电子在离开电子枪后的初始能量不...
Jennifer团队长期致力于利用光电联合技术,在纳米级的尺度对细胞内的超微结构及其动态性进行观察。在2021年,利用FIB-SEM、cryo-SIM及新的图像分割和机器学习算法,其团队对全细胞内部的细胞器进行了识别和完整的三维重构4。在本文所涉及的这项...
因此,很多研究学者对冷冻聚焦离子束切割-扫描电镜成像技术(Cryo-FIB-SEM)进行探索(图2),在冷冻体积连续成像、冷冻光电关联成像、冷冻透射扫描成像、冷冻含水切片制备监控、冷冻SEM图像处理等方面取得了很大进展,本文就Cryo-FIB-SEM近年来取得的一些瞩目的研究成果进行综述。
FIB-SEM切片测试过程 在聚焦离子束FIB切片过程中，离子束的能量密度和扫描速度是关键因素。能量密度决定了...
现在考虑离子束停留时间和重叠对沉积率和质量的影响。下图中显示了在不同的重叠和停留时间下，钨在Si基片上沉积的一系列SEM图像。绘制图案的尺寸为6m m -1.5 mm，目标厚度为1 mm。对于所有的沉积，使用了1000 pA的离子束电流。图(a)到(d)分别显示了50%、0%、-150%和-500%的离子束重叠的钨沉积情况。对于...
图2 FIB-SEM组合系统的应用 FIB-TEM联用系统 由于TEM样品需要非常薄，电子才可以穿透，形成衍射图像。FIB的高效溅射可实现对样品的精细加工，因此FIB常用于TEM超薄样品的制备优化上。图3为FIB加工制备TEM超薄样品的过程。如图3（a，b）所示，先在所关心的试样表面上做一个记号，注明需要裁剪的地方，沉积Pt。铣削...
FIB-SEM双束系统的协同效应 FIB-SEM双束系统的核心优势在于其能够同时执行FIB和SEM的操作。FIB技术通过物理溅射和化学气体反应，有选择性地进行蚀刻或沉积金属和绝缘材料，而SEM则提供清晰的图像，便于进行观察和分析。1.高精度截面分析技术 FIB技术，能够精确地观察器件的特定微观区域的截面，生成高清晰度的图像。这项...
无源电位衬度(Passive Voltage Contrast,PVC)定位基于导电结构的FIB或SEM图像或多或少的亮度差异,可用于半导体电路的失效定位。有源电位衬度(Active Voltage Contrast,AVC)法提供了更多的定位可能性。这种方法是在某些结构上施加外部偏置,使得衬度差异更加明显。AVC的主要优势在于不仅可以检测开路和短路,还可以检测导体或...