FHP110N8F5B场效应管具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max) 最高栅源电压@VGS =±20 V;封装形式:TO-263、TO-220。 Vgs(±V):20; VTH(V):2-4; ID(A):147A; BVdss(V):85V 100n08参数资料 FHP100N08场效应管参数: Vgs(±V):25; VTH(V):2.5-3.5; ID(A):100-120; BVdss(V...
STP110N8F6 场效应管 ST 封装TO-220 批号21+ -55C ST品牌 深圳市盈腾兴电子科技有限公司 4年 查看详情 ￥0.24/个 广东深圳 FDP5N50 场效应管 FAIRCHILD 封装TO-220 批次21+ 品牌FAIRCHILD 深圳市万联威科技有限公司 3年 查看详情 ￥1.00/个 广东深圳 HGTG11N120CN 场效应管 Fairchild /Intersil 封...
为抬升升降压型DC/DC转换器电路的转换电流性能,飞虹半导体非常安利采用型号为FHP110N8F5B的低压SGTMOSFET。这款147A、85V的低压SGTMOSFET达到实时化解产品效率不高、可靠性低、散热不良、产品缩短寿命等存在疑问。 打破升降压型DC/DC转换器电路开发的瓶颈,飞虹半导体低压SGTMOSFET厂家的FHP110N8F5B型号成为升降压型DC/...
FHP110N8F5B型号MOS管在非隔离型直流变换器中控制稳定有力。 增加非隔离型直流变换器电路性能的鉴于转换电流能力,飞虹半导体的FHP110N8F5B型超低内阻MOS管以其147a、85V的强大参数,确保化解产品的效率下降、散热效率低未知难题。 飞虹半导体在定制超低内阻MOS管的服务面貌做到服务到位,提供订购质量十分好的FHP110N8F5...
爱企查为您提供广州广新电子有限公司FHP110N8F5B 飞虹原厂直供高中低压大电流低内阻MOS场功率效应管等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多集成电路、三极管、场效应、可控硅、二极管、快恢复二极管
FHP110N8F5B型号的MOS管是由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产,它是可以代换052N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5等型号参数的场效应管。 就储能电源而言,随着国内市场发展,未来一定还是增长的。因此选择一款稳定、优质的MOS管来代换055N08、052N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5这类型的型号使用是很重要...
FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-263、TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。 它作为N 沟道增强型场效应晶体管,TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上,而TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源、太阳能控制器、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、UPS、园林工具和BLDC电...
FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220、TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。 它作为N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220产品广泛应用于DC-AC逆变器、各类DC/DC电源、AC-DC开关电源、UPS、园林工具和BLDC电机驱动等,更可以匹配型号IPP052N08N5、SVG095R0NT(S)的...
FHP110N8F5B的封装形式是TO-220、TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。 在国产化的场效应管代换使用过程中,FHP110N8F5B场效应管飞虹国产型号:FHP110N8F5B型号参数来代换SVG095R0NT(S)型号。它作为N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源...
FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220、TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。在国产化的场效应管代换使用过程中,我们更推荐使用优质的飞虹国产型号:FHP110N8F5B型号参数来代换055N08型号。它作为N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源、DC-...