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FGM效应是NVM工作原理的基础,主要体现在闪存(Flash Memory)和EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)等存储器件中。 FGM效应的基本原理如下:在非易失性存储器的晶体管结构中,存在一个与晶体管的控制栅(Control Gate)隔离的浮栅(Floating Gate)。浮栅是一片电介质材料,如聚硅氧化物,它既不与源...
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