在需要代换FGH60N60场效应管时,应遵循以下原则以确保兼容性和性能: 1. 选择相同型号的产品进行替换。这是确保兼容性和性能的最佳方式,因为不同型号的场效应管参数差异可能导致电路性能下降甚至失效。 2. 如果无法找到完全相同的型号,应仔细比较替代产品的参数。关键参数包括...
与FGH60N60相比,FGH40N60场效应管在参数上略有不同: 1. 额定电流:FGH40N60的额定电流为40A,相较于FGH60N60略小,但仍能满足众多应用场景的需求。 2. 耐压能力:与FGH60N60相同,FGH40N60的耐压能力也为600V,保证了在高压环境中的稳定性。 3. 导通电阻与开关速度:FGH40N60在这两方面与F...
FGH60N60具体参数为:正向电流:60A,反向耐压:600V,反向恢复时间: 5ns,封装:TO-247
FGH60N60UFDTU由ON设计生产。FGH60N60UFDTU封装/规格:Vce饱和压降/1.8V:工作温度/-55℃~+150℃:安装类型/插件:集射极击穿电压Vce(Max)/600V:晶体管类型/场截止:集电极电流 Ic/120A:集电极-发射极电压 VCEO/600V:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/32.75mm:长x宽/尺寸/15.8...
在调脉宽式逆变器电子工程中,选拔仙童FGH60N60SMD型号IGBT需要设计师着重注重其性能指标,好像电流是否满足60a、额定电压是否得到了650v等,触及指标与调脉宽式逆变器电路的工作效率直接牵涉。此外,器件的电压上升率(dv/dt)和封装类型也重要方面,先进的电压上升率(dv/dt)性能能够满足抬升调脉宽式逆变器的质量。 FHA60...
FGH60N60场效应管是一种高性能的功率开关器件,具有优异的电气特性。其主要参数包括漏源电压V(BR)DSS、栅源电压VGS、连续漏极电流ID等。其中,漏源电压V(BR)DSS可达600V,使得FGH60N60场效应管在高压电路中具有良好的耐压性能。栅源电压VGS的范围则保证了场效应管的正常开关工作。此外,该场效应管...
FGH60N60SMD 产品种类: IGBT 晶体管 概述 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 封装/ 箱体: TO-247 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极击穿电压: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.9 V 栅极/发射极最大电压: 20 V...
系列 FGH60N60UFD 集电极最大连续电流 Ic 60 A 高度 20.6 mm 长度 15.6 mm 宽度 4.7 mm 单位重量 6.390 g 可售卖地 全国 型号 FGH60N60UFDTU 代理各品牌集成电路IC 货源稳定 长期供应 提供电子元器件一站式采购 PDF资料 电子管-场效应管-FGH60N60UFDTU-ON/安森美-Bulk-2023.pdf 下载 价...
FGH60N60SMD由ON设计生产。FGH60N60SMD封装/规格:Vce饱和压降/1.9V:工作温度/-55℃~+175℃:安装类型/插件:集射极击穿电压Vce(Max)/600V:晶体管类型/场截止:集电极电流 Ic/120A:额定功率/600W:集电极-发射极电压 VCEO/600V:关断延迟时间/104ns:开通延迟时间/18ns:关断损耗/0.45mJ:导通损耗/1.26mJ:元件生...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 FGH60N60UFDTU、 ON/安森美、 Bulk 商品图片 商品参数 品牌: ON/安森美 封装: Bulk 批号: 2023 数量: 4166 制造商: ON Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 是 封装/ 箱体: TO-247AB-3 安装风格: Thr...