型号 FGH50T65SQD-F155 PDF资料 可控硅及IGBT-IGBT-FGH50T65SQD-F155-Onsemi安森美-TO-247-3-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如...
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起订数 10个起批 1000个起批 10000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 FGH50T65SQD-F155、 ON/安森美、 TO-247 商品图片 商品参数 品牌: ON/安森美 封装: TO-247 批号: 新年份 数量: 900000 制造商: onsemi 产品状态: 在售 IGBT 类型:...
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FGH50T65SQD-F155 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 耗散功率 268000 mW 击穿电压(集电极-发射极) 650 V 反向恢复时间 31 ns 额定功率(Max) 268 W 工作温度(Max) 175 ℃ 工作温度(Min) -55 ℃ 耗散功率(Max) 268000 mW 封装参数 ...
FGH50T65SQD-F155/ON安森美/代理现货库存/IGBT晶体管/太航半导体 描述 使用新颖的场停IGBT技术，Fairchild的新系列场停第四代IGBT为太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用提供了最佳性能，低传导和开关损耗是必不可少的。特性 •最高结温:TJ =175°C •正的温度系数，易于并行操作 •高电流能力 •...
+ 175 C 系列: FGH50T65SQD 封装: Tube 商标: onsemi / Fairchild 集电极最大连续电流 Ic: 100 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA 产品类型: IGBT Transistors 工厂包装数量: 30 子类别: IGBTs 零件号别名: FGH50T65SQD_F155 单位重量: 6.390 g...