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FGH40T120SMD ON Semiconductor (安森美) IGBT晶体管 分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合...
在-55°C至+175°C的工作温度范围内工作,适应各种恶劣的工作环境。结论 总的来说,FGH40T120SMD作为一款高性能的IGBT晶体管,在工业驱动和变频器领域发挥着关键作用。其高电流承受能力、耐压性能和高功率耗散等技术特点,使其成为工程师和设计师首选的元件之一,推动了工业自动化和能源节约的不断发展与进步。
FGH40T120SMD 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 Factory Lead Time: 4 weeks 风险等级: 0.68 最大集电极电流 (IC): 80 A 集电极-发射极最大电压: 1200 V 门极发射器阈值电压最大值: 7.5 V 门极-发射极最大电压...
FGH40T120SMD FGH40T120SMD 1200 V, 40 A FS Trench IGBT May 2013 ©2013 Fairchild Semiconductor Corporation 1www.fairchildsemi.com FGH40T120SMD Rev. C1 Absolute Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted Thermal Characteristics Notes:1. Vcc=600V,V GE = 15V, I C = 160A, ...
FGH40T120SMDL4 概述 IGBT,1200V,25A,FS 沟槽 IGBT FGH40T120SMDL4 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 Factory Lead Time: 5 weeks 风险等级: 1.44 最大集电极电流 (IC): 80 A ...
fgh40t120smd与fgy40t120smd的主要区别如下: 一、电流与功率特性 fgh40t120smd:这是一款1200V、40A的场截止沟道IGBT,具有较低的饱和电压,典型值为1.45V(在IC=40A时)。 fgy40t120smd:虽然同样具有1200V的击穿电压,但其连续集电极电流可能有所不同,某些参数中提到可达80A(但需注意具体型号和条件下的实际电流值),...
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