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型号: FGD3245G2-F085V 封装: TO-252-3 批号: 23+ 数量: 8500 制造商: onsemi 产品种类: IGBT 晶体管 封装/ 箱体: TO-252-3 安装风格: SMD/SMT 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V 集电极—射极饱和电压: 1.3 V 栅极/发射极最大电压: - 10 V, + 10 V 在25 C的连续集电极...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 FGD3245G2 F085、 ON、 TO252 商品图片 商品参数 品牌: ON 封装: TO252 批号: 24+ 数量: 50000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V ...
FGD3245G2-F085由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。FGD3245G2-F085价格参考￥8.45。onsemi(安森美) FGD3245G2-F085参数名称:集射极击穿电压(Vces):450V;集电极电流(Ic):23A;耗散功率(Pd):150W;栅极电荷量(Qg):23nC;关断延迟时间(Td(off)):5.4us;工作温
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FGD3245G2-F085C 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 工艺设计的 N 沟道 IGBT,有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈,在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护,以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射...
其它名称: FGD3245G2-F085TR 功率- 最大值: 150W 输入类型: 逻辑 栅极电荷: 23nC 25°C 时 Td(开/关)值: 900ns/5.4µs 工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装: TO-252AA 价格说明 价格...
FGB3245G2_F085和FGD3245G2是采用Fairchild的EcoSPARK®2技术设计的N沟道IGBT,有助于免去外部保护电路。该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化,并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的V sat 和SCIS能量性能。逻辑电平栅极输入进行了ESD保护,并且具有一个集成式栅极电阻。集成式齐纳电路将...
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