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FGA25N120ANTD是晶体管类型 基本参数 封装: TO-3P 基本参数：晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:50A 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 最大功耗:312W 电压, Vceo:1200V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)上升时间:50ns 功率, Pd:312W 功...
FGA25N120ANTDTUFGA25N120IGBT晶体管 小芯片 模块 1200V TO-3P 7天包换48小时发货支付宝 ¥3.2 深圳市福田区翔林宏业电子商行16年 近3个月价格 FGA25N120ANTDFGA25N120TO-3P 电磁炉功率管 全新现货 48小时发货支付宝 ¥2.8 深圳市佰利诚科技有限公司5年 ...
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FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR...
FGA25N120ANTD场效应管IGBT管MOS管全新现货25A1200V封装TO-3P 深圳市龙时佳电子有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥8.00 FGA25N120ANTD ON全新原装 IGBT电磁炉功率场效应管 深圳市科伟达电子有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
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这是因为FGA25N120自身所需的驱动激励电流要求比较大,而H20R1203是专为电磁炉设计的,自身所需的驱动激励电流要求比较小,交换速度较高,但自身的饱和能耗很小,用FGA25N120代换后有时由于驱动激励偏小导致温升严重,加上的饱和能耗偏高使得自身的温升更为严重,又因为交越速度比较低,使得IGBT触发导通与LC谐振回路始终存在一...