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封装: TO-3P基本参数：晶体管类型:IGBT集电极直流电流:50A饱和电压, Vce sat 最大:2.5V最大功耗:312W电压, Vceo:1200V工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-3PSVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)上升时间:50ns功率, Pd:312W功耗:312W封装类型:TO-3P晶体管极性:NPN...