FF900R12ME7_B11采用了英飞凌的第七代IGBT晶圆技术。IGBT7采用了微沟槽(Micro Pattern Trench)结构, 如图2所示。与IGBT4相比其静态损耗显著降低，并且动态损耗并没有增加。搭配全新的第七代反并联二极管芯片—EmCon7能够实现更干净的开关，减小震荡，降低损耗。图2 微沟槽单元 图3是FF900R12ME7_B11与FF600R12ME...
系列 TrenchstopIGBT7 可售卖地 全国 型号 FF900R12ME7_B11 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格...
FF900R12ME7_B111200 V 900 A 双 IGBT模块 EconoDUAL™ 31200 V, 900 A dualTRENCHSTOP™ IGBT7module with emitter controlled 7 diode, NTC andPressFITcontact technology. Also available withpre-applied Thermal Interface Material. 特征描述
FF900R12ME7.B11*开关电源GAN.MOS管 价格 ￥130.00 ￥115.00 ￥98.00 起订量 50件起批 500件起批 5000件起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 湖北省 武汉市 所属类目 电子元器件;集成电路(IC);其他集成电路 产品标签 FF900R12ME7;B11;开关电源GAN;MOS管;INF;GAN 获取底价 查看...
产品型号FF900R12ME7_B11 数量 产品信息 联系方式 品牌 英飞凌 型号 FF900R12ME7_B11 货号 21+ 材质 硅 输出电流 900mA 输入电压 1200V 功率 大功率 用途 模块 重量 详询kg 规格 标准封装 加工定制 否 是否进口 是 上海寅涵智能科技发展有限公司本着“品质保证,客户至上”的企业经营理念,“诚信经营、信誉...
FF900R12ME7_B111200 V, 900 A dual IGBT module EconoDUAL™ 31200 V, 900 A dualTRENCHSTOP™ IGBT7module with emitter controlled 7 diode, NTC andPressFITcontact technology. Also available withpre-applied Thermal Interface Material. Summary of Features ...
型号 FF900R12ME7_B11 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
最大电源电压: 7V 长度: 9.4mm 宽度: 2.2mm 高度: 2.8mm FF900R12ME7_B11 电子元器件 INFINEON 封装IGBT 批次24+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
FF900R12ME7B11 品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号FF900R12ME7B11 商品编号C3190352 包装方式 托盘 商品毛重 408.9克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 IGBT管/模块 IGBT类型 FS(场截止) 集射极击穿电压(Vces) 1.2kV 集电极电流(Ic) 900A 属性参数值 耗散功率(Pd) 20mW ...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的FF900R12ME7B11BOSA1 元器件,主要参数为:模块 -40°C ~ 175°C(TJ),FF900R12ME7B11BOSA1库存充足,购买享优惠!