产品型号:ff800r12ke7-e 产品厂商:Infineon 产品价格:0 折扣价格:0 产品文档: 简单介绍: 62 毫米 1200 V、800 A 共发射极低饱和度和快速沟槽 IGBT 模块,带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制二极管。 详情介绍: FF800R12KE7_E 英飞凌半桥IGBT模块和斩波器模块:英飞凌的产品组合包括不同的IGBT功率模块产品...
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。 IGBT的典型应用 ...
-绝缘的基板 -封装的 CTI > 400 可选应用 •三电平应用 •商业性农用车辆 •大功率变流器 •电机传动 •伺服驱动器 •太阳能应用 •UPS 系统 产品认证 •根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。描述 FF800R12KE7 62mm C-Series 模块 Datasheet Please read the ...