FF6MR12W2M1H_B111200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块 这款第一代1200 V,6 mΩEasyDUAL™ 2BCoolSiC™ MOSFET半桥模块采用集成的NTC温度传感器和PressFIT压接技术。 特征描述 同类最佳高度:12.25 mm 先进的宽禁带(WBG)半导体材料 非常低的模块杂散电感 ...
Sales Product Name FF6MR12W2M1H_B11 OPN Info FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Product Status active and preferred Infineon Package name AG-EASY2B-3111 Standard Package name Order online Buy online Completely lead free no Halogen free no RoHS compliant yes Packing Size 15 Packing Type TRAY Moisture...
Translation_Bot Community Manager 19 十月 2023 查看原创内容: I-English | 原作者: XiaoyanLiu 这是机器翻译的内容 我注意到FF6MR12W2M1_B70已经过时了,但我发现了FF4MR12W2M1H_B11。 我比较了包装和别针,它们看起来完全一样。 我可以问一下这两者有什么主要区别吗? FF4MR12W2M1H_B11是FF6MR12W...
制造商编号 FF6MR12W2M1H_B11 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A3f-FF6MR12W2M1H_B11 供货 严选 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 1200 V 碳化硅(CoolSiC™)MOSFET 模块 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 FF6MR12W2M1H_B11.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,...
我注意到FF6MR12W2M1_B70已经过时了,但我发现了FF4MR12W2M1H_B11。 我比较了包装和别针,它们看起来完全一样。 我可以问一下这两者有什么主要区别吗? FF4MR12W2M1H_B11是FF6MR12W2M1_B70的较新版本吗? 已解决! 转到解答。Like 回复 订阅 255 次查看 0 1 条回复 所有...
制造商编号 FF6MR12W2M1H_B11 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-FF6MR12W2M1H_B11 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 1200 V 碳化硅(CoolSiC™)MOSFET 模块 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 FF6MR12W2M1H_B11.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留...
ParametricsFF6MR12W2M1H_B11 ApplicationsESS, EV Charger, Solar, UPS ConfigurationHalf-bridge Dimensions (length)62.8 mm Dimensions (width)48 mm FeaturesPressFIT HousingEasy 2B QualificationIndustrial RDS (on)(@ Tj = 25°C)5.4 mΩ Documents ...